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成都士蘭半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利,降低外延自摻雜效應(yīng)
評(píng)論 ?
2024-12-27 15:49
深圳晶源申請(qǐng)光刻膠模型優(yōu)化方法專利,能夠解決模型中存在的過(guò)擬合現(xiàn)象和一致性不佳的技術(shù)問(wèn)題
評(píng)論 ?
2024-12-27 15:39
河北同光半導(dǎo)體申請(qǐng)具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利,實(shí)現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無(wú)損傷
評(píng)論 ?
2024-12-27 14:54
無(wú)錫錕芯半導(dǎo)體取得一種IGBT的驅(qū)動(dòng)裝置專利,實(shí)現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆
評(píng)論 ?
2024-12-26 17:00
北京智慧能源研究院SiC外延片公開招標(biāo)采購(gòu)項(xiàng)目公開招標(biāo)公告
評(píng)論 ?
2024-12-26 16:44
上海天岳申請(qǐng)一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利,提高SiC襯底質(zhì)量
評(píng)論 ?
2024-12-26 16:43
安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專利,提升光束質(zhì)量因子
評(píng)論 ?
2024-12-26 15:08
廣州華瑞升陽(yáng)申請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體器件專利,降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)
評(píng)論 ?
2024-12-26 09:56
長(zhǎng)光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)
評(píng)論 ?
2024-12-26 09:16
又見跨界收購(gòu)!“一代鞋王”擬入局存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域
評(píng)論 ?
2024-12-26 08:09
宇電精密溫控獲評(píng)國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”,品牌空間亮相廈門地鐵
評(píng)論 ?
2024-12-26 07:48
華工科技半導(dǎo)體激光裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)
評(píng)論 ?
2024-12-25 15:01
三星電子獲美47.45億美元芯片補(bǔ)貼
評(píng)論 ?
2024-12-25 12:01
官宣!日產(chǎn)本田確認(rèn)合并!
評(píng)論 ?
2024-12-25 10:44
24億元!惠科與綿投集團(tuán)簽訂增資擴(kuò)股協(xié)議
評(píng)論 ?
2024-12-25 08:46
2024年中國(guó)半導(dǎo)體并購(gòu)31件 模擬芯片和材料成熱點(diǎn)
評(píng)論 ?
2024-12-25 08:26
一代鞋王跨界半導(dǎo)體,奧康國(guó)際籌劃增發(fā)收購(gòu)聯(lián)和存儲(chǔ)科技
評(píng)論 ?
2024-12-25 08:17
現(xiàn)代汽車解散半導(dǎo)體戰(zhàn)略部門,原計(jì)劃自研5nm芯片
評(píng)論 ?
2024-12-25 08:16
浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置專利,有利于生長(zhǎng)空間的穩(wěn)定性
評(píng)論 ?
2024-12-24 16:04
納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專利,提升電路性能
評(píng)論 ?
2024-12-24 15:54
晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬(wàn)元A輪融資
評(píng)論 ?
2024-12-24 13:52
華海清科自主研發(fā)清洗裝備已批量用于晶圓再生生產(chǎn)
評(píng)論 ?
2024-12-24 11:28
士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)
評(píng)論 ?
2024-12-24 10:34
捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布
評(píng)論 ?
2024-12-24 10:33
派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布
評(píng)論 ?
2024-12-24 10:32
天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請(qǐng)
評(píng)論 ?
2024-12-24 08:33
華為申請(qǐng)?zhí)蓟枰r底制備方法專利,使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻
評(píng)論 ?
2024-12-23 16:54
鄭州勢(shì)壘取得用于金剛石生長(zhǎng)的 MPCVD 裝置專利,能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境
評(píng)論 ?
2024-12-23 15:15
廣東中圖半導(dǎo)體申請(qǐng)高一致性圖形化襯底制備方法專利,解決圖形化襯底均一性降低問(wèn)題
評(píng)論 ?
2024-12-23 15:14
萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利,保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響
評(píng)論 ?
2024-12-23 15:02
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