據揚杰科技官微消息,日前,揚杰科技SiC車規級功率半導體模塊封裝項目正式開工。
據悉,本次開工項目計劃總投資10億元,占地62畝,規劃建筑面積約11.2萬平米。項目聚焦車規級框架式、塑封式IGBT模塊,SiC MOSFET模塊等第三代半導體產品,對標國際標桿,產品技術指標直追國際領先水平,可實現進口替代。項目全面達產后,預計可實現年開票銷售10億元,稅收3000萬元,為地方經濟發展注入強勁動力。
據揚杰科技官微消息,日前,揚杰科技SiC車規級功率半導體模塊封裝項目正式開工。
據悉,本次開工項目計劃總投資10億元,占地62畝,規劃建筑面積約11.2萬平米。項目聚焦車規級框架式、塑封式IGBT模塊,SiC MOSFET模塊等第三代半導體產品,對標國際標桿,產品技術指標直追國際領先水平,可實現進口替代。項目全面達產后,預計可實現年開票銷售10億元,稅收3000萬元,為地方經濟發展注入強勁動力。