2024年12月23日下午，海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目正式通線。海寧產線從2022年5月的第一根樁基打下開始，到2024年8月第一臺生產設備移入，再到現在順利實現通線，實現了從無到有、從0到1的突破。
砷化鎵微波射頻芯片（GaAs）產品主要應用于無線通信、雷達系統、衛星通訊和微波點對點連線等領域；碳化硅基氮化鎵（GaN HEMT）產品主要應用于5G通信、電動汽車、工業控制系統、航空航天等領域；垂直腔面激光器（VCSEL）產品主要應用于車載激光雷達、光通信、機器人和無人機等領域。
立昂微在化合物半導體射頻芯片領域深耕多年、卓有建樹。控股子公司杭州立昂東芯是浙江省首家、國內較早建成商業化生產線的微波射頻集成電路芯片制造企業，目前已經發展成為國內領先的微波射頻集成電路芯片以及激光器芯片代工的龍頭企業，產能規模和工藝技術水平位居國內第一梯隊，早在2021年10月基于雙異質結思路在國內率先開發成功第一款InGaP DHBT工藝技術，其效率（PAE）和抗失配（Ruggedness）特性達到了世界先進水平。HBT工藝技術已超過9種進入量產階段，不同的工藝面對不同的射頻應用場景，例如LH05具有高線性特征，主要應用于基站和WiFi，而LH07則具有高健壯性特征，可應用于衛星電話，而最新的LH09工藝則集成了高增益和高線性兩大特征，不僅能滿足當前國內大多數應用需求，也可應對下一代移動通信和未來其他應用場景需求。在2022年10月，成為全球第一家公開發布了應用于功率放大器（PA）、低噪聲放大器（LNA）和開關(SW)等多功能的0.15um E/D-mode GaAs pHEMT工藝技術。2024年3月，二維可尋址大功率VCSEL激光器工藝技術開發成功并在行業內首家實現了量產。近期宇航級射頻芯片產品進入低軌衛星終端客戶并實現大規模出貨。相關產品已進入國內外眾多知名頭部終端客戶供應鏈，具有成熟的穩定的高質量客戶群。
海寧立昂東芯注冊成立于2021年，是立昂微化合物半導體射頻芯片業務板塊新的生產基地項目。該項目廠務設施均按照業界一流水準建設，機臺均為先進的業界主流設備，國產化比例超過80%，自動化比例達到100%，全面實施信息化、智能化管理，是國內自動化程度最高的化合物代工產線。規劃總投資50億元，布局6英寸砷化鎵微波射頻芯片（GaAs）、氮化鎵（GaN HEMT）以及垂直腔面激光器（VCSEL）等產品領域。建成后將達到年產36萬片6英寸微波射頻芯片及器件的生產規模。海寧立昂東芯項目的建成投產，意味著作為一個重要的生產基地將有效彌補杭州立昂東芯發展的不足，為立昂微化合物半導體射頻芯片業務板塊拓展出更為廣闊的快速發展空間。
經過多年的培育發展，海寧已在設計端、設備端、材料端、封測端形成聚鏈補鏈的泛半導體產業集群效應，成為浙江省集成電路產業高質量發展的重要布局地。此次通線的海寧立昂東芯項目，是企業面向未來的重大戰略布局，達產后將成為國內單體產出最大的微波射頻芯片生產基地，不僅對企業致力于打造中國大陸最大的化合物射頻芯片制造基地邁出了堅實步伐，更為海寧市乃至嘉興市找準新質生產力著力點、搶抓第三代半導體產業新機遇、勇闖高質量發展新路徑具有重要意義。
