SiC基電力電子及射頻芯片技術以其高功率密度、高效率和可靠性，成為未來電子設備的重要發展方向，特別是在高壓、高頻和高溫環境下表現出色，適用于多種高要求的應用場景。近日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）在蘇州召開。

期間“碳化硅功率器件及其封裝技術 I”分會上，北京國聯萬眾半導體科技有限公司研發總監王川寶做了“SiC基電力電子及射頻芯片技術發展研究”的主題報告，分享了SiC基GaN射頻器件、SiC電力電子器件等的研究進展與成果。

王川寶

北京國聯萬眾半導體科技有限公司研發總監

GaN 民用射頻芯片主要應用場景涉及GaN大功率器件100-500W系列，GaN功率器件與模塊40-80W系列，GaN毫米波芯片（26G、28G、39G）等，4G/5G通訊、5G-A應用則涉及反無人機、通訊干擾、射頻醫美等，GaN全流程自主可控涉及清晰的技術演化，高可靠性，

SiC功率器件研發和生產主要涉及芯片加工、封裝測試、功能模塊環節。報告顯示，國聯萬眾的6英寸SiC功率芯片研發生產線，凈化面積超過4000㎡，6英寸SiC產品2019年開始批量供貨，SBD發貨大于5000萬只，MOS發貨大于2000萬只。國聯萬眾的SiC 電力電子器件具有低比導通電阻、閾值電壓一致性、短路耐量、成本等方面具有核心優勢。

嘉賓簡介：王川寶，2012年獲得北京航空航天大學材料學學位，后就職于中國電子科技集團公司第十三研究所，射頻器件領域專家。目前就職北京國聯萬眾半導體科技有限公司，任技術總監。從事氮化鎵、碳化硅等化合物器件工藝開發和器件研發工作。負責5G基站用GaN功率管研發及推廣，期間解決多個影響GaN功率管長期可靠性的本質問題，配合用戶實現GaN產品的研發和量產應用，產品性能指標和可靠性處于業內領先水平。獲得國家級獎勵一項，省部級獎勵一項，授權專利四項。

公司簡介：北京國聯萬眾半導體科技有限公司成立于2015年，是中國電科產業基礎研究院下屬上市公司“中瓷電子：003031”的全資公司，是國家第三代半導體創新技術中心(北京)主要建設和運營主體單位。公司主營業務為第三代半導體芯片設計、生產與銷售，以及第三代半導體封裝、模塊、科技服務等業務。主導產品氮化鎵(GaN)射頻功放芯片技術水平達到國際領先，已得到國際主流通信公司大規模應用；碳化硅(SiC) SBD和MOSFET電力電子芯片及模塊技術水平達到國內領先，已得到國內主流新能源汽車、充電樁企業大規模應用。 

（根據現場資料整理，僅供參考）