11月25日，按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經CASAS管理委員會投票通過2項氮化鋁晶片方面的團體標準立項建議，詳細信息如下：
秘書處將向CASAS正式成員發出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。
T/CASAS 055—202X 半導體材料紫外光電子能譜測試方法采用具有低能量、高分辨率的紫外光電子譜分析儀對InAs、GaSb、Si、InP進行紫外光電子能譜測試。本文件描述了半導體材料紫外光電子能譜測試的方法，包括目的、原理、要求、標準材料、樣品制備、程序、數據處理、報告。適用于半導體領域常用材料的紫外光電子能譜測試。 T/CASAS 056—202X 半導體材料紫外光電子產額譜測試方法采用具有低能量、連續可調的紫外光電子譜分析儀對InAs、GaSb、Si、InP進行紫外光電子產額譜測試，通過對四種材料的紫外光電子產額譜開3次方根，可以得到材料的離化能IP。本文件描述了半導體材料紫外光電子發射產額測試的方法，包括目的、原理、要求、標準材料、樣品制備、程序、數據處理、報告。適用于半導體領域常用材料的紫外光電子發射產額測試。
