第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）近日在蘇州召開。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

開幕大會上，中國科學(xué)院院士、浙大寧波理工學(xué)院校長、浙江大學(xué)硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室主任、教授楊德仁帶來了《半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)》的主題報告。

近年來，受益于5G、人工智能、消費電子、汽車電子等需求拉動，全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模呈現(xiàn)波動并整體向上的態(tài)勢。為推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，帶動傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和產(chǎn)品升級換代，進一步促進國民經(jīng)濟持續(xù)健康發(fā)展，我國推出了一系列支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策，半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游，備受關(guān)注。 楊德仁院士幾十年來研究不輟，其研究的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的摻氮、微量摻鍺、重?fù)搅椎瘸晒言谖覈教炱鳌⑽㈦娮印⑻柲芄杈w等領(lǐng)域?qū)嶋H應(yīng)用，支撐著我國半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)需求。報告詳細(xì)分享了硅半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體材料、寬禁帶半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料設(shè)備的發(fā)展現(xiàn)狀，分析目前我國半導(dǎo)體材料面臨的挑戰(zhàn)和突圍之路。 

報告顯示，高端 4、6 英寸半絕緣GaAs襯底主要依賴進口，化合物半導(dǎo)體材料InP，技術(shù)水平基本達到產(chǎn)業(yè)化需求，但產(chǎn)能不足。寬禁帶半導(dǎo)體材料方面，高端射頻器件用GaN單晶襯底存在“卡脖子”風(fēng)險，8 英寸SiC單晶大批量產(chǎn)業(yè)化是未來方向。半導(dǎo)體材料設(shè)備，12英寸硅外延設(shè)備已經(jīng)有國產(chǎn)。

報告指出，半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)具有研發(fā)投入大、周期長，技術(shù)難度大、門檻高，全球市場充分競爭，頭部企業(yè)國際壟斷嚴(yán)重等特點。從半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)來看，也面臨著產(chǎn)品水平處于中低端，先進、高端半導(dǎo)體材料嚴(yán)重依賴進口，企業(yè)規(guī)模較小，半導(dǎo)體材料的生長、加工設(shè)備缺乏，半導(dǎo)體材料的測試設(shè)備幾乎空白等挑戰(zhàn)。專家表示，盡管技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展進步很快速，距離依然在。包括氮化物寬禁代半導(dǎo)體的材料和器件研究依然面臨一系列關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，需繼續(xù)開展深入、系統(tǒng)的研究工作。

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）