2024年7月19日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET閾值電壓測試方法》等9項SiC MOSFET技術標準已完成征求意見稿的編制，正式面向聯盟成員單位征求意見，為期一個月。征求意見稿已經由秘書處郵件發送至聯盟成員單位；非聯盟成員單位如有需要，可發郵件至：casas@casa-china.cn。

2024年1月11日，SiC功率器件與模塊工作組于浙江大學杭州國際科創中心召開第一次工作會議，初步確定了SiC MOSFET可靠性評價標準體系建設的整體布局；經過標準立項、征集起草小組、召開起草小組會議，標準文稿反復討論、修改；2024年7月10日，SiC功率器件與模塊工作組于復旦大學/上海碳化硅功率器件工程技術研究中心召開第二次工作會議，全面集中討論了標準草案，其中9項標準于7月19日形成征求意見稿。

其中，針對T/CASAS 021—202X SiC MOSFET閾值電壓測試方法（征求意見稿），聯盟秘書處將組織測試比對工作，請有意愿參與的單位發送聯系人信息至casas@casa-china.cn或電話聯系秘書處問詢，咨詢電話010-82385580。

   （來源：第三代半導體產業技術戰略聯盟）