據國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為“一種多溝道GaN基HEMT器件及其制備方法“，公開號CN117954476A，申請日期為2022年10月。專利摘要顯示，本發明公開了一種多溝道GaN基HEMT器件及其制備方法，該器件包括自下而上依次層疊的襯底層、過渡層、高阻層，在高阻層上的溝道區多個溝道層和勢壘層依次交疊形成多個并列溝道，頂端溝道層和頂端勢壘層則覆蓋包括溝道區在內的整個器件表面；柵源區和漏區分別位于溝道區的兩端，源極、柵極、漏極兩兩之間由鈍化層隔開。本發明的多個并聯溝道設計可以降低耐高壓GaN基HEMT導通電阻，進而降低損耗。這種多溝道結構可以廣泛適用于基于pGaN帽層或MIS結構的增強型HEMT器件以及傳統的耗盡型HEMT器件，可以優化耐壓與導通的折中關系，有利于近一步提高現有器件的優值。