近日，陜西省人民政府發(fā)布《陜西省人民政府關(guān)于2023年度陜西省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)的決定》，西電集成電路學(xué)部張玉明教授牽頭項(xiàng)目獲得技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。

項(xiàng)目四：高壓低功耗碳化硅功率器件關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用

張玉明教授

該項(xiàng)目成果針對(duì)SiC功率器件擊穿效率低、功率密度小、可靠性差的問(wèn)題，攻克了高擊穿電壓電場(chǎng)調(diào)制與芯片終端保護(hù)技術(shù)，發(fā)明了凹槽輔助場(chǎng)限制環(huán)場(chǎng)調(diào)制技術(shù)、新型“高頻刻蝕”工藝和多層掩模多步刻蝕技術(shù)，研制了終端擊穿效率達(dá)到90%、具有高穩(wěn)健性的SiC超高壓功率器件；攻克了高功率密度SiC芯片設(shè)計(jì)與工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)特征導(dǎo)通電阻低至4mΩ?cm2的SiC MOSFET器件及高效率SiC超級(jí)結(jié)功率器件，有效提升了器件功率密度；攻克了長(zhǎng)壽命、高可靠性SiC芯片關(guān)鍵技術(shù)，建立了L型圍柵場(chǎng)調(diào)制、雙區(qū)浮動(dòng)結(jié)調(diào)制技術(shù)及終端電場(chǎng)區(qū)域陷阱電荷俘獲和發(fā)射機(jī)制模型，有效解決了器件氧化層失效問(wèn)題，為實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定擊穿特性奠定了理論基礎(chǔ)。

 （來(lái)源：西安電子科技大學(xué)）