國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為“一種p溝道氮化鎵異質結晶體管及其制備方法“，公開號CN117766561A，申請日期為2023年5月。
專利摘要顯示，本發明公開了一種p溝道氮化鎵異質結晶體管及其制備方法，該晶體管包括襯底及襯底上依次層疊的緩沖層、n溝道層、勢壘層、空穴提供層、勢壘插入層和p溝道層，柵極、源極和漏極位于p溝道層上，其中所述勢壘插入層的禁帶寬度相對于空穴提供層和p溝道層的禁帶寬度大，這樣勢壘插入層將會把空穴提供層的能帶壓下來進而使得該層內空穴完全電離，并將完全電離的空穴轉到頂部p溝道層中，頂部p溝道層充當p型導電溝道的作用，這增加了載流子密度，進而實現電流密度的增加。本發明既可以通過控制刻蝕深度來實現增強型器件，又可以通過勢壘插入層極化誘導底層空穴完全電離實現相對高的電流密度。
