據國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為“一種長波長InGaN基發光二極管的外延結構及其制備方法“，公開號CN117747725A，申請日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種長波長InGaN基發光二極管的外延結構及其制備方法。本發明括襯底、非故意摻雜的氮化鎵層、n型摻雜的氮化鎵層、長溝槽型多量子阱、修復層、發光多量子阱和p型摻雜的氮化鎵層；溝槽型多量子阱表面具有環狀V型坑，為溝槽型多量子阱和修復層提供應力弛豫，使得修復層的晶格得到擴張，有利于提高發光多量子阱中的銦并入，并且作為空間隔離，避免環狀V型坑內部的量子阱中的載流子受到外部缺陷的影響；修復層修復低溫生長的溝槽型多量子阱的粗糙表面，為后續生長的發光多量子阱提供平整的生長表面；修復層作為空穴阻擋層，阻擋來自p型摻雜的氮化鎵層的空穴進入到溝槽型多量子阱中，使得空穴集中于發光多量子阱中用于輻射復合。