2024年4月9-11日，一年一度化合物半導體行業(yè)盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業(yè)博覽會（簡稱“JFSC＆CSE”）將在武漢光谷科技會展中心舉辦。作為國內碳化硅單晶襯底代表型企業(yè)，北京天科合達半導體股份有限公司將攜多款產品亮相博覽會，并分享碳化硅襯底技術及產品發(fā)展趨勢。誠邀業(yè)界同仁蒞臨2T27號展臺參觀、交流合作。

本屆“JFSC＆CSE”由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實驗室共同主辦，以“聚勢賦能 共赴未來”為主題，匯集全球頂尖的化合物半導體制造技術專家、行業(yè)領袖和創(chuàng)新者，采用“示范展示+前沿論壇+技術與商貿交流”的形式，為產業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準對接平臺，助力企業(yè)高效、強力拓展目標客戶資源，加速驅動中國化合物半導體產業(yè)鏈的完善和升級。

北京天科合達半導體股份有限公司成立于2006年9月，總部位于北京，是國內率先從事第三代半導體碳化硅單晶襯底及相關產品研發(fā)、生產和銷售的國家級高新技術企業(yè)之一，也是國內碳化硅單晶襯底領域生產規(guī)模較大、產品種類較全的碳化硅襯底供應商，并于2021 年被工信部認定為專精特新“小巨人”企業(yè)。

產品介紹

1、8英寸導電型襯底：

8 英寸碳化硅襯底因其有效利用面積與 6 英寸相比提高接近 90%，外延和晶圓制造成本增加不明顯，且制程較 6 英寸更為先進等因素，可有效降低單個器件成本，在未來具有廣闊的增長空間。天科合達目前已掌握高質量 8 英寸導電型碳化硅襯底制備的關鍵技術。目前取得的部分技術成果如下：

●低微管密度控制技術；

●低位錯密度控制技術；

●電阻率均勻性控制技術；

2、8英寸導電型外延片：

天科合達目前已掌握量產碳化硅SBD和MOSFET器件用高質量碳化硅外延片的關鍵技術，包括摻雜濃度及厚度均勻性、缺陷、表面粗糙度、應力及翹曲度等關鍵指標控制技術。公司擁有高均勻性和低缺陷密度的中高壓碳化硅外延片和復雜結構外延片的制造能力，現(xiàn)已在深圳天科布局規(guī)模化外延生產線，獲得的技術成果如下：

●小于1e14 cm-3的低本征濃度控制技術；

●小于2%的厚度均勻性控制技術；

●小于5%的濃度均勻性控制技術；

●低的位錯控制技術， BPD轉化效率達到99%以上 ；

●低的表面缺陷控制技術，表面缺陷密度小于0.2個/cm2。

值此之際，我們誠邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會，蒞臨展位現(xiàn)場參觀交流、洽談合作。