3月11日，據“百識電子”官微消息，他們于近日完成了A+輪融資，將加速耐高壓、大尺寸第三代半導體外延布局。

據介紹，百識電子目前可提供6英寸及8英寸的SiC/GaN外延片，其3300V碳化硅外延片已實現高良率高質量生產，產品厚度均勻性1.18%，濃度均勻性1.32%，并穩定出貨全球軌交頭部客戶；正在攻克超高耐壓（6500V及以上）外延技術，缺陷控制已達國際先進水平。

資料顯示，2022年1月，百識電子的第三代半導體外延項目簽約落戶江蘇南京，項目總投資10億元，分二期建設，一期項目產能15萬片，主要生產碳化硅及氮化鎵相關外延片。

百識電子董事長李屏表示，目前南京廠量產順利，二期產線也在積極落地中。