2月18日，中國碳化硅襯底企業迎來好消息。日本權威行業調研機構富士經濟公布了《2024年版新一代功率器件&相關市場現狀和展望》報告，圍繞世界SiC/GaN的最新動向以及材料供不應求角度展開了分析和預測。據報告測算，2023年全球導電型碳化硅襯底材料市場占有率前三的公司有1家來自中國，天岳先進（SICC）超過高意(Coherent)躍居全球第二。Wolfspeed連續多年市占率第一，但受到來自其他襯底公司的競爭壓力，占比持續下滑。

報告指出，在電動汽車、電力設備以及能源領域驅動下，SiC功率器件市場需求整體堅挺， 2030年SiC功率器件市場規模將達到近150億美元，占到整體功率器件市場約24%，2035年則有望超過200億美元，屆時SiC器件市場規模將占到整體功率器件的40%以上。為此，業內主要廠家都在積極進行擴建以及做好設備投資的準備，特別是中國企業，除滿足本國需求外，開始不斷擴張世界范圍內的市場占有率。其中備受關注的依然是襯底材料。

天岳先進8英寸導電型碳化硅襯底

根據報告分析，全球SiC襯底銷售主要分布在四大市場，日本17.4%、中國24.4%、北美20%、歐洲29%。歐洲已成為全球最大的SiC襯底市場，報告指出：天岳先進先后和英飛凌和博世簽訂了長期供應協議，2023年和英飛凌簽訂了新的供應協議。

天岳先進在導電型碳化硅襯底產能和規模化供應能力上持續展現超預期成果。通過與英飛凌、博世集團的長期供應協議，天岳先進在技術實力和規模化供應能力上展現突出優勢，推動業績的快速增長。銷售規模的持續擴大的基礎，來自于該公司以技術為支撐的產能提升上的良好進展。2023年5月天岳先進上海工廠啟用，目前仍處于產能提升階段。

天岳先進上海工廠

天岳先進長期專注SiC襯底積累的技術實力，在產能和客戶端已形成了獨有的優勢。繼半絕緣型碳化硅襯底市占率連續4年位居全球前三以來，導電型襯底市占率提升至世界第二也得益于長期的技術積累。該公司在8英寸產品上也處于領先地位。

功率半導體行業在低碳化和電氣化時代將繼續獲得蓬勃的發展動力，碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料和器件將繼續成為這一領域關注的焦點。穩定的供應和質量保障成為占領市場高地的重要抓手，我們期待中國企業在世界半導體行業取得更耀眼的成績。

 （來源：天岳先進）