日盲紫外光電探測器廣泛應用于太陽觀測、天氣預報、農業保護等領域。隨著技術的不斷進步，日盲紫外光電探測器未來的發展方向將會趨于多樣化和高級化。比如有望成為下一代光通信系統的重要組成部分，除了可以用來進行衛星遙感以外，還可以用于醫學成像、無損檢測等領域。還可以與其它探測器結合使用，例如激光雷達等，以實現更加精準和多元化的探測應用。而基于AlGaN材料的紫外探測器可通過調整Al組分實現日盲，從而降低背景噪聲，省去長波長濾光片，具有成本低、體積小、量子效率高、抗輻照能力強、化學穩定性高等優點，被認為是最有發展前景的半導體紫外探測器件。

2023年11月27-30日第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

期間，“氮化物半導體固態紫外技術分會”如期舉行，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、納微朗科技（深圳）有限公司、廈門光莆電子股份有限公司、賽邁科先進材料股份有限公司、山西中科潞安紫外光電科技有限公司的協辦支持，南京大學--江蘇省光電信息功能材料重點實驗室的學術協辦。

分會上，南京大學副研究員蔡青帶來了“AlGaN日盲紫外雪崩光電探測器的優化設計及擊穿機理研究”的主題報告。當前，AlGaN紫外面臨著高位錯密度、高過量噪聲、p型摻雜效率低等挑戰。報告分享了AlGaN外延橫向過生長、AlGaN APD器件結構設計、AlGaN APD擊穿機制等研究進展與成果。

研究基于AlN自組裝的橫向外延組合超晶格納米圖案化模板可以有效地過濾位錯并優化AlGaN雪崩光電二極管結構的生長。研制了具有新型一維光子晶體結構、周期性疊層倍增結構和三臺面結構的AlGaN紫外APD。獲得了暗電流小、增益大于106的AlGaN日盲紫外雪崩光電探測器。研究了SAM APD的穿透機制和AlGaN APD的微等離子體雪崩擊穿機制。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）