寬禁帶半導體技術快速崛起，未來10年將對國際半導體產業格局重塑產生至關重要的影響。寬禁帶半導體是全球高技術競爭的關鍵領域之一，我國高度重視，在“中國制造2025”、2035中長期科技規劃、十四五計劃中，均將寬禁帶半導體列為重點方向。“十四五”將重點解決能用好用及可持續創新能力的問題，全產業鏈整體競爭力不強，核心材料和關鍵裝備是卡脖子瓶頸。

2023年11月28日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。本屆論壇為期4天，由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

開幕大會上，中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮分享了“寬禁帶半導體的幾個基礎問題”的主題報告。我國技術水平持續提升，市場保持高速增長。2022年我國寬禁帶半導體產值6892億元（其中半導體照明6750億元，功率電子和微波射頻兩個領域總產值141.7億元，  較2021年增長11.7%。SiC、GaN功率電子產值規模達74.3億元，同比增長28.33%。GaN射頻電子產值67.4億元，較上年持平）。

光電子與微電子深度融合，有望實現跨界創新應用引領。微波射頻關鍵指標基本與國際同步，并已規模化生產。功率電子材料和器件研發基本與國際同步，GaN功率器件邁向更廣的應用領域，更全電壓等級，從當前100V/650V拓展到30V~1200V，可靠性升級實現從消費到工業、車規的跨越。超寬禁帶半導體布局加速，超大的禁帶寬度、高擊穿電場強度，在更高耐壓更低導通電阻的微波大功率電子器件、日盲探測等深紫外光電器件、高能粒子探測器等領域具有重要應用價值。

報告指出，寬禁帶半導體技術在不斷發展，大注入、高場條件下器件物理；單光子源與單光子探測；自旋注入與極化光；極化調控與鐵電特性等基礎問題仍需要關注。其中，單光子源和單光子探測器是量子信息技術的關鍵器件。室溫自旋LED中電子電荷、自旋及光子偏振得以集成，從而在半導體自旋電子器件中極具潛力。纖鋅礦結構氮化物半導體具有強自發極化和強壓電極化，氮化物半導體是極具潛力的鐵電半導體材料。

報告認為，物理學、材料科學、量子科學及微納加工技術不斷發展，為半導體信息器件提供了新的發展維度，衍生出基于新原理的顛覆性器件，滿足在信息科學前沿領域的創新性應用。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）