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日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

日期:2023-10-09 閱讀:254
核心提示:日本東京農工大學與日本酸素控股株式會社合作,共同開發(fā)出新一代功率半導體氧化鎵的低成本制法。該方法利用氣體供應原料,在基板

日本東京農工大學與日本酸素控股株式會社合作,共同開發(fā)出新一代功率半導體“氧化鎵”的低成本制法。該方法利用氣體供應原料,在基板上制造晶體,可以減少設備的維護頻率,也可以降低運營成本。日本酸素控股表示,正在準備新型設備的商用化,客戶有需求即可供貨。

這種制造氧化鎵的新方法屬于“有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)法”,通過在密閉裝置內充滿氣體狀原料,可以在基板上制造出氧化鎵的晶體。目前現(xiàn)有的制法是“氫化物氣相外延(HVPE)法”,化學氣相沉積新制法可以制成此前實現(xiàn)不了的高頻器件。

據(jù)了解,氧化鎵是耐壓性超過“碳化硅”和“氮化鎵”的功率半導體材料,可以降低電力轉換時的能源損失。有望用于純電動汽車(EV)、白色家電及光伏發(fā)電等廣泛用途。目前已有數(shù)家企業(yè)實現(xiàn)實用化,富士經濟的調查顯示,市場規(guī)模到2030年將達到470億日元。

東京農工大等團隊通過MOCVD方法,將氧化鎵晶體的生長速度提高至每小時約16微米,達到原來的約16倍。東京農工大學教授熊谷義直表示:“這是與氫化物氣相外延法并列的水平”。氧化鎵晶體除了可以用于制造功率元件,還可以制造“高電子遷移率晶體管(HEMT)”,適用于通信設備的高頻信號。而此前利用傳統(tǒng)的氫化物氣相外延法,難以與高電子遷移率晶體管所需的鋁進行混晶。

(來源:集微網)

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