據日經中文網，日本最大的半導體晶圓企業信越化學工業和從事ATM及通信設備的OKI公司日前宣布，其開發出了以低成本制造使用氮化鎵（GaN）的功率半導體材料的技術。新技術可以在特有的QST基板上噴鎵系氣體，使晶體生長。信越化學工業的增厚晶體技術與OKI的接合技術相結合，從基板上只揭下晶體，晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。新制法可以高效制造晶體，可以降低9成成本。信越化學工業透露，這一技術可以制造6英寸晶圓，希望在2025年增大到8英寸，今后還考慮向半導體廠商銷售技術等業務模式。

氮化鎵是最具代表性的第三代半導體材料之一，可滿足各種應用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求。憑借其強大的高頻低耗優勢，GaN器件已在太陽能逆變器、風力發電、新能源汽車等領域陸續“上車”。隨著最新技術驅動成本的快速下行，氮化鎵滲透率及市場規模望加速成長。Yole預測，2020年全球氮化鎵功率器件市場規模約為4600萬美元，預計2026年可達11億美元，2020-2026年年均復合增長率有望達到70%。

浙商證券研報此前指出，全球氮化鎵主要創新主體的龍頭集中于日本、美國。氮化鎵產業國外重點企業包括日 本住友、美國 Cree、德國英飛凌、韓國 LG、三星等，中國企業代表有，晶元光電、三安 光電、臺積電、華燦光電等，目前中國企業和國外企業相比，技術儲備、生產能力等方面仍有巨大差距。

華金證券此前指出，國內企業方面，三安光電、華潤微、英諾賽科、賽微電子、珠海鎵未來等廠商等加速布局氮化鎵并推進產品落地和商用。