今年第二季度，國際半導體產業協會（SEMI）正式發布了碳化硅半導體外延晶片全球首個SEMI國際標準——《4H-SiC同質外延片標準》（Specification for 4H-SiC Homoepitaxial Wafer）。

此標準由火炬高新區企業瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司主導編寫。由中國科學院半導體研究所、株洲中車時代電氣股份有限公司、Wolfspeed等十二家單位參與編寫，歷時近三年時間。

▲國際半導體產業協會（SEMI）頒發的榮譽牌匾和標準發布證書

國際半導體產業協會（SEMI）是全球性的產業協會，致力于國際標準的制定，積極促進微電子、平面顯示器及太陽能光電等產業供應鏈的整體發展，代表著全球各地產業的呼聲和需求，是行業發展趨勢的風向標。

《4H-SiC同質外延片標準》這一國際標準的發布實施，將在規范國際碳化硅半導體外延行業有序發展，降低國際貿易協作成本，加速新技術在全球的推廣等方面具有深遠的意義。

對于瀚天天成而言，成功主導編寫碳化硅半導體外延晶片全球首個SEMI國際標準意義重大，不僅能夠進一步樹立瀚天天成在碳化硅半導體行業的領導品牌地位，進一步夯實行業話語權與核心競爭力，而且有助于瀚天天成與行業內的上下游企業單位緊密合作，在共同推動國際碳化硅半導體行業的穩健進步和創新發展方面做出應有的貢獻。

除了此次發布實施的國際標準外，瀚天天成自2011年成立以來還成功主導編寫了2項國內團體標準，參與編寫了7項行業標準和團體標準（其中1項行業標準和3項團體標準已經發布）。

瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司于2011年3月成立，是全球知名的碳化硅半導體純外延晶片生產商。瀚天天成榮獲“國家級專精特新重點‘小巨人’企業”（第一年第一批）、“國家級高新技術企業”、“火炬瞪羚企業”等榮譽稱號。公司匯集了碳化硅半導體領域的頂尖技術專家，當前已實現600V-3300V功率半導體器件車規級外延片的批量生產，產品遠銷海內外，全球用戶已超過140家。

2023年5月，瀚天天成完成了具有自主知識產權的8英寸碳化硅外延工藝技術開發，正式向全球客戶供應8英寸碳化硅外延晶片。

目前瀚天天成已經在全部產品技術指標上達到世界領先水平?；谧钚麻_發的技術，瀚天天成的高均勻性產品指標對于生產車規級主驅MOSFET的企業能夠提供絕對的競爭優勢。該競爭優勢使得瀚天天成所簽訂的2023 年度訂單超過了原全球龍頭企業年產能的 3 倍多。