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廈門大學徐翔宇:氧化鎵缺陷、合金化電子結構調控及日盲光電探測器研究

日期:2023-08-03 閱讀:404
核心提示:半導體材料是信息技術產業的基石,Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體,GaN、SiC等寬禁帶半導體前景廣闊。Ga2O3是大功率、高效率、特

半導體材料是信息技術產業的基石,Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體,GaN、SiC等寬禁帶半導體前景廣闊。Ga2O3是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇,是高靈敏、高響應日盲紫外探測器的天然材料。Ga2O3材料國內外發展形勢來看,Ga2O3產業化時間短、技術差距小、產品應用面廣、市場空間巨大。美國、日本已對中國全面禁運Ga2O3襯底材料和相關器件設備。我國Ga元素儲量豐富,提煉技術先進,大尺寸Ga2O3單晶襯底實現低成本生產。

近日,“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)指導,西安交通大學、極智半導體產業網(m.ynpmqx.com)、第三代半導體產業主辦,西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合(東莞)職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

徐翔宇

期間,“平行論壇2:光電子器件及應用”上,廈門大學徐翔宇帶來了“氧化鎵缺陷、合金化電子結構調控及日盲光電探測器研究”的主題報告,報告分享了高性能Ga2O3光電探測器的性能調控,以及Al/In合金化薄膜的光電調控和電子結構的研究進展與成果。

研究顯示,通過對外延薄膜后退火處理,獲得高響應度、高探測率的日盲紫外光電探測器,實現對實際日盲信號的靈敏響應。解釋了器件性能的大幅改善,是受到了由退火引起的缺陷以及表面狀態變化的共同影響。通過對Ga2O3進行Al/In合金化,實現了大范圍的帶隙調控,制備出了能夠響應全日盲波段的紫外光電探測器,并解釋了合金組分的引入對能帶結構的影響。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業大會(CASICON)”由【極智半導體產業網】主辦,每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點,聚合產業相關各方訴求,通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式,促進參與各方交流合作,積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任,聯合實力資源,持續輸出高質量的活動內容,搭建更好的交流平臺,為產業發展貢獻應盡的力量。

(備注:以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認,僅供參考!)

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