碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性，使得碳化硅功率模塊在高功率和高溫應(yīng)用中具有出色的性能。同時得益于碳化硅半導(dǎo)體材料高溫性能、高功率密度、高頻特性、低開關(guān)損耗、小尺寸和輕量化等性能和優(yōu)勢。碳化硅功率模塊逐漸成為儲能系統(tǒng)中的一種重要解決方案。碳化硅功率模塊在功率密度提升、散熱優(yōu)化、集成設(shè)計等方面不斷提升。

2023年7月26日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安開幕。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ynpmqx.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織籌辦。

開幕大會上，蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司應(yīng)用總監(jiān)牛坤宏做了題為“碳化硅功率模塊設(shè)計及其在儲能應(yīng)用中的機(jī)會及挑戰(zhàn)”的主題報告。當(dāng)前，SiC器件各領(lǐng)域加速替代Si基器件，儲能是新型電力系統(tǒng)的重要組成和關(guān)鍵支撐。報告詳細(xì)分享了當(dāng)前PCS的技術(shù)發(fā)展，認(rèn)為SiC混合ANPC是兼具性能和成本優(yōu)勢的最佳選擇。報告分享了低寄生參數(shù)的模塊設(shè)計，高性能、高功率密度的模塊封裝技術(shù)，并指出SiCMOS+IGBT混合方案，大功率PCS的最佳選擇。

CASICON 系列活動簡介

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）” 由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動。活動聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。