在碳化硅襯底上，國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機(jī)電已完成了6英寸到8英寸的擴(kuò)徑和質(zhì)量迭代，實(shí)現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng)，今年二季度將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)；天科合達(dá)計(jì)劃在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)，同時該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議。近期，科友半導(dǎo)體傳來了新消息。

 

6月22日，科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。此前4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn)，打破了國際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。

 

具體來看，在尺寸、厚度方面，科友半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了高厚度、低應(yīng)力6/8英寸碳化硅晶體穩(wěn)定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎(chǔ)上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。

 

缺陷密度方面，科友半導(dǎo)體6英寸晶體位錯缺陷密度＜3000個cm-2，8英寸晶體微管密度＜0.1個cm-2，位錯缺陷密度＜5000個cm-2，晶體質(zhì)量處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

 

生長速率方面，科友半導(dǎo)體基于高熱場穩(wěn)定性、高工藝穩(wěn)定性、和高裝備穩(wěn)定性，突破了8英寸SiC晶體快速生長工藝技術(shù)，長晶速率已達(dá)到170μm/h以上，長晶周期約為4-5天，單臺長晶爐設(shè)備每月運(yùn)轉(zhuǎn)約6-7爐次。

 

產(chǎn)品良率方面，科友半導(dǎo)體基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術(shù)，大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性。

 

資料顯示，科友半導(dǎo)體成立于2018年5月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計(jì)、科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領(lǐng)域，已形成自主知識產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)自主可控。

 

科友半導(dǎo)體在哈爾濱新區(qū)打造產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)，實(shí)現(xiàn)碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，致力成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應(yīng)商。

 

目前，科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，有望粉碎國際封鎖，成為我國大尺寸低成本碳化硅規(guī)模化量產(chǎn)制造技術(shù)的領(lǐng)跑者。