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簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應用

日期:2023-01-10 閱讀:298
核心提示:氮化鎵(GaN)是一種很有前途的硅替代半導體,廣泛應用于光電子和電子技術。然而,GaN表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發展的關鍵限制

 

氮化鎵(GaN)是一種很有前途的硅替代半導體,廣泛應用于光電子和電子技術。然而,GaN表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發展的關鍵限制,特別是在器件穩定性和可靠性方面。近日,南方科技大學化夢媛教授通過原位兩步“氧化-重構”過程將GaN表面轉化為氮氧化鎵(GaON)外延納米層,克服了這一挑戰。

文章要點

1)O等離子體處理克服了GaN表面的化學惰性,連續的熱退火控制了動力學-熱力學反應路徑,產生了具有纖鋅礦晶格的亞穩態GaON納米層。

2)GaN衍生的GaON納米層是用于表面增強的定制結構,并具有幾個優點,包括寬帶隙、高熱力學穩定性和與GaN襯底的大價帶偏移。這些物理特性可以進一步用于增強GaN基器件在各種應用中的性能,例如電源系統、互補邏輯集成電路、光電化學水分解和紫外光電轉換。

 

 

參考文獻:

Junting Chen, et al, Formation and applications in electronic devices of lattice-aligned gallium oxynitride nanolayer on gallium nitride, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202208960

https://doi.org/10.1002/adma.202002450

來源:半導體技術情報 

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