近年，第三代半導體在多個領域嶄露頭角。以碳化硅、氮化鎵為主的第三代化合物半導體已然成為產業端寵兒，第三代半導體材料與前兩代半導體材料相比，其最大的優勢是較寬的禁帶寬度，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率的電子器件。

作為渾璞投資最新投資的半導體材料廠商，南砂晶圓在碳化硅襯底領域可謂實力強勁。

廣州南砂晶圓半導體技術有限公司成立于2018年9月，是一家從事碳化硅單晶材料研發、生產和銷售三位一體的國家高新技術企業。公司以山東大學晶體材料國家重點實驗室近年來研發的最新碳化硅單晶生長與襯底加工技術成果為基礎，同山東大學開展全方位產學研合作。

早年在蔣民華院士的指導下，長江學者徐現剛特聘教授帶領團隊歷經多年研發，成功突破了碳化硅單晶生長及襯底制備技術，為碳化硅襯底的國產商業化奠定了良好基礎。公司產品以6英寸半絕緣和N型碳化硅襯底為主，可視市場需求不斷豐富產品線。第三代半導體材料作為新基建的戰略性材料，公司將立足奧港澳大灣區，力爭發展成為全國乃至全球馳名的碳化硅半導體公司。

N型碳化硅襯底

N型碳化硅襯底主要用于高電壓大電流的電子器件，包括肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等，廣泛應用于電動汽車、工業電力系統、高鐵等領域。

支撐新能源汽車、高鐵等動力系統的升級換代

高速軌道交通，如高鐵的動力系統采用寬禁帶半導體功率模莫塊可使系統體積減小20%，重量降低20%,系統損耗降低20%；功率半導體芯片是新能源汽車電控系統的“心臟”約占整車半導體用量的80%，采用寬禁帶半導體功率模塊可使體積重量減少80%電能轉換效率提升20%。

支撐能源技術升級，實現特高壓輸變電技術國際引領

國家正在推動新能源大規模開發利用和新型用電設施發展,碳化硅器件是滿足萬伏千安電網變電技術需求的唯一功率半導體器件，可使系統體積減小40%能量損耗減少50%；屬于通信基礎設施的5G基站網絡整體能耗是4G的10倍，而數據中心電能損耗超過總運營成本40%；寬禁帶半導體功率模塊使5G基站和數據中心電源變換損耗減少30%。

半絕緣型碳化硅襯底

半絕緣型碳化硅襯底主要用于微波射頻器件，如高電子遷移多率晶體管(HEMT)，具有大功率密度、耐高溫、抗輻射等優點，廣泛應用于5G通訊、物聯網等領域。

支撐新一代移動通信系統核心器件的自主可控

相對于Si基和GaAs基射頻器件，具有更高功率、更高效率、 更高工作溫度和抗輻射能力，是迄今最 具優勢的半導體射頻電子器件；同時實現高頻、高效、寬帶、大功率的唯一 半導體材料，應用于5G移動通信、物聯網、人工智能等領域。

碳化硅晶體主要加工為碳化硅襯底

渾璞投資表示：“非常看好南砂晶圓在碳化硅襯底的成就和發展，非常認可以徐現剛教授為首的研發團隊的能力，非常認同管理團隊的理念和企業的戰略規劃，期待南砂晶圓為碳化硅襯底國產化貢獻出自己的一份力量。”