據(jù)悉，日前，國內存儲行業(yè)迎來重大喜訊，由至訊創(chuàng)新完全自主研發(fā)的國內首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片研制成功，預計將于明年年初全面投放市場。這是國內存儲行業(yè)的跨越式突破，技術水平已趕超國際一流。

這是國內首款全自研、運用先進工藝的中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片。產(chǎn)品將覆蓋512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V電壓，并采用業(yè)界主流串行接口SPI和WSON封裝。

其即可滿足消費級產(chǎn)品對可靠性的需求，還可達到工規(guī)和車規(guī)等高可靠性應用場景對擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保留的要求。通過技術的創(chuàng)新實現(xiàn)了芯片面積縮小40%，I/O速度提升25%，擦寫周期提升70%，芯片性能超越國內同類競品。

至訊創(chuàng)新聯(lián)合創(chuàng)始人、董事長湯強博士：在過去的幾個月里，我們的研發(fā)團隊面對疫情、技術等重重考驗，用最短的時間攻克了道道難關。

此次19nm芯片的成功研制是至訊創(chuàng)新破繭成蝶的第一步，未來我們將持續(xù)加大研發(fā)投入，與更多合作伙伴展開更深度協(xié)作，保持每年兩到三個先進工藝項目的開展，使更具有創(chuàng)新力、競爭力的產(chǎn)品陸續(xù)登陸市場。

至訊創(chuàng)新聯(lián)合創(chuàng)始人、CEO龔翊女士：這款核心產(chǎn)品性能卓越又極具性價比，應用領域非常豐富。目前，我們已順利與幾大重要合作伙伴簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，明年將從核心大客戶端發(fā)力，確保在全球存儲市場低迷的情況下實現(xiàn)逆勢上揚，一舉提升我們的市場占有率。

至訊創(chuàng)新聯(lián)合創(chuàng)始人、COO王超先生：目前公司正進行A輪融資，我們將抓住這個資本市場的戰(zhàn)略窗口期，充分發(fā)揮資本的強力支撐作用，為公司的研發(fā)、運營和業(yè)務推廣注入更多動力，不斷提升工藝的先進性、產(chǎn)品的競爭性和服務的全面性，為實現(xiàn)我國存儲芯片的國產(chǎn)替代提供更多助力。

未來，至訊創(chuàng)新將抓住中國芯片產(chǎn)業(yè)突圍的歷史性發(fā)展機遇，堅持“以人為本，開拓創(chuàng)新”，立爭早日躋身全球一流存儲芯片公司行列。