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T/CASAS/TR 002—202X《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報告》包含以下內(nèi)容：a、SiC MOSFET功率器件發(fā)展趨勢；b、SiC MOSFET芯片與封裝中面臨的可靠性問題包括襯底/外延、芯片工藝、封裝工藝可靠性問題；c、SiC MOSFET開關(guān)狀態(tài)可靠性問題包括動態(tài)柵極偏置、短路應(yīng)力、雪崩、浪涌、輻照等可靠性問題；d、SiC MOSFET應(yīng)用端可靠性問題；e、車規(guī)級功率器件可靠性及壽命；f、可靠性失效仿真；g、SiC MOSFET可靠性評價體系建立的工作建議等7個方面。

經(jīng)過10余年的發(fā)展，SiC 功率器件逐步成熟，為進入大眾市場打開了大門。SiC MOSFET功率器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性，使電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進。希望以此報告的編寫，銜接SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈上中下游，助力產(chǎn)業(yè)對該器件可靠性的統(tǒng)一認識，凝聚力量，助力SiC MOSFET電力電子應(yīng)用的規(guī)模開啟。

本文件主要起草單位：

復(fù)旦大學(xué)、東南大學(xué)、浙江大學(xué)、 中國電子科技集團公司第十三研究所、重慶大學(xué)、北京智慧能源研究院、北京工業(yè)大學(xué)、合肥工業(yè)大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所、深圳市禾望電氣股份有限公司、泰克科技(中國)有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

復(fù)旦大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究團隊聚焦寬禁帶半導(dǎo)體材料生長、功率器件物理與設(shè)計、先進制造工藝及產(chǎn)業(yè)化、功率模塊及可靠性測試、電力電子技術(shù)五大研究方向。現(xiàn)有成員17人，其中特聘教授3人，研究員/副研究員14人。2020年團隊聯(lián)合華大半導(dǎo)體共建成立上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。在中心主任張清純教授帶領(lǐng)下通過與半導(dǎo)體器件生產(chǎn)和電力電子應(yīng)用企業(yè)緊密合作，致力于研發(fā)基于寬禁帶半導(dǎo)體，特別是SiC材料為核心的新型功率器件、工藝和模塊，加速下一代碳化硅基功率電子的廣泛應(yīng)用。團隊現(xiàn)有復(fù)旦大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)實驗室、光華臨港寬禁帶功率器件及應(yīng)用創(chuàng)新平臺、以及復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所等研發(fā)平臺。