以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體，是繼硅材料之后最有前景的半導(dǎo)體材料之一。

 

其中，碳化硅是第三代半導(dǎo)體的核心材料，主要應(yīng)用于以5G通信、國(guó)防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車(chē)、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域。

 

近年來(lái)，碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)快速發(fā)展并已迎來(lái)爆發(fā)期，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)成為資本熱捧的風(fēng)口，華為哈勃就是其中之一。

 

 

2021年9月，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書(shū)，表示未來(lái)十年是第三代功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新加速期，滲透率將全面提升。而碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā)的拐點(diǎn)臨近，市場(chǎng)潛力將被充分挖掘。

 

白皮書(shū)中指出，新型功率半導(dǎo)體應(yīng)用需求大幅提升，對(duì)能源輸送和控制的安全、高效、智能等方面提出更高的要求。這些都需要通過(guò)電力電子化設(shè)備進(jìn)行運(yùn)行、補(bǔ)償、控制。

 

目前這些設(shè)備中所使用的基本都還是硅基器件，而硅基器件的參數(shù)性能已接近其材料的物理極限，無(wú)法擔(dān)負(fù)起未來(lái)大規(guī)模清潔能源生產(chǎn)傳輸和消納吸收的重任，節(jié)能效果也接近極限。

 

以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體功率芯片和器件，以其高壓、高頻、高溫、高速的優(yōu)良特性，能夠大幅提升各類(lèi)電力電子設(shè)備的能量密度，降低成本造價(jià)，增強(qiáng)可靠性和適用性，提高電能轉(zhuǎn)換效率，降低損耗。

 

光伏、風(fēng)電等新能源發(fā)電、直流特高壓輸電、新能源汽車(chē)、軌道交通、工業(yè)電源、民用家電等領(lǐng)域具有極大的電能高效轉(zhuǎn)換需求，而新型功率半導(dǎo)體在則適應(yīng)了這一需求趨勢(shì)，未來(lái)十年是第三代功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新加速期，滲透率將全面提升。

 

 

華為對(duì)第三代半導(dǎo)體之重視不言而喻。旗下華為哈勃自成立以來(lái)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域的擴(kuò)張勢(shì)不可擋。而其中的一個(gè)重點(diǎn)就是第三代半導(dǎo)體。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，至今，華為哈勃投資碳化硅相關(guān)企業(yè)有5家，遍布碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，分別為山東天岳、北京天科合達(dá)、瀚天天成、東莞天域半導(dǎo)體和特思迪。

 

其中，山東天岳已成功上市，成為國(guó)產(chǎn)碳化硅第一股。公司目前能夠供應(yīng)2英寸~6英寸的單晶襯底，在國(guó)內(nèi)半絕緣型碳化硅襯底領(lǐng)域穩(wěn)坐第一把交椅。在國(guó)際上地位也不容小覷，據(jù)相關(guān)統(tǒng)計(jì)，2019/2020年，天岳先進(jìn)已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)世界前三。

 

天科合達(dá)于2006年9月由新疆天富集團(tuán)、中國(guó)科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立，為全球碳化硅晶片的主要生產(chǎn)商之一，公司主要產(chǎn)品為4英寸和6英寸碳化硅晶片，并已啟動(dòng)8英寸晶片研發(fā)工作。去年10月，天科合達(dá)碳化硅襯底擴(kuò)建項(xiàng)目，投資額為1.5億元，年產(chǎn)能3萬(wàn)片。

 

瀚天天成是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售碳化硅外延晶片于一體的中美合資高新技術(shù)企業(yè)。公司于2011年在廈門(mén)成立，是我國(guó)第一大碳化硅半導(dǎo)體純外延晶片生產(chǎn)商，也是國(guó)內(nèi)首家提供商業(yè)化4英寸和6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。公司碳化硅產(chǎn)業(yè)園三期項(xiàng)目計(jì)劃在今年內(nèi)啟動(dòng)建設(shè)，產(chǎn)能規(guī)模將達(dá)140萬(wàn)片。

 

天域半導(dǎo)體成立于2009年，公司股東榜云集華為哈勃、比亞迪等“大咖”。公司是國(guó)內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)6英寸外延晶片量產(chǎn)的企業(yè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸碳化硅工藝關(guān)鍵技術(shù)。今年4月，天域半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延片項(xiàng)目落地，新增產(chǎn)能達(dá)100萬(wàn)片/年的6英寸/8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線；8英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)；6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)和銷(xiāo)售。

 

特思迪成立于2020年3月，是一家半導(dǎo)體設(shè)備初創(chuàng)企業(yè)，專(zhuān)注于半導(dǎo)體領(lǐng)域高質(zhì)量表面加工設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，重點(diǎn)針對(duì)化合物半導(dǎo)體襯底材料、半導(dǎo)體器件、先進(jìn)封裝、MEMS等領(lǐng)域，提供減薄、拋光、CMP的系統(tǒng)解決方案和工藝設(shè)備。