半導體產業網獲悉：近日，中金發布研究報告稱，第三代化合物半導體材料碳化硅(SiC)在新能源車、光伏發電等重點行業終端出貨量快速成長，疊加SiC滲透率提升且短期內器件價格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市場規模有望迎來增速最快的三年周期。

 

中金認為，中國相關供應商雖起步較晚，但得益于新能源車、光伏逆變器本土品牌商市場份額提升，該行認為國內企業獲得了入場機會，且有望通過技術快速迭代和產能擴張受益于SiC器件全球需求景氣及國產化趨勢。中金主要觀點如下：

 

》》受制于上游原材料供應較少，短期SiC器件供需仍有望維持緊張。

 

該行測算，2021年全球6英寸SiC襯底年產能在51萬片，并在積極擴產之中，2022年新能源車+光伏應用有望帶來4.5萬片/月(54萬片/年)6寸SiC襯底產能需求(已考慮良率)。考慮到導電襯底需求正在快速爬坡，該行認為在8寸晶圓大規模普及之前，導電型襯底供應量較少依然制約了SiC器件市場快速發展，器件價格年降幅也相對有限。

 

》》五年全球SiC器件及模塊市場規模有望突破百億美元。

 

根據該行對新能源車、光伏等主要賽道自下而上市場規模的測算，該行認為2027年全球SiC器件(不含模塊)全行業市場規模有望達到76億美元，包含模塊的全行業市場規模達到112億美元，2022-27年五年復合增速超過35%，其中22-24年是行業增速的最快時期。而在2025年前后，該行認為8寸晶圓有望大規模應用，加速SiC成本下降，但SiC在全行業中滲透率也有望呈現快速提升。

 

》》中國企業有望迎來較大商業機會。

 

在2022-2024年間，該行認為中國本土新能源車、光伏逆變器品牌商有望積極推動SiC器件滲透，相關需求有望快速成長卻面臨全球SiC器件供應量受限。該行認為，本土SiC器件供應商有望把握國產替代機會，復制硅基IGBT時代輝煌，擁有全產業一體化(材料、制造、封測)能力的企業存在著更大的競爭優勢。技術路徑上，該行認為中國企業有望依照SiC二極管->高導通電阻MOS->低導通電阻MOS->大電流模塊產品的四段式路徑進行迭代，目前大部分企業已擁有了SiC二極管及高導通電阻MOS產品的設計或制造能力。

 

風險提示：SiC器件滲透率不及預期、行業競爭加劇、中國企業技術迭代及擴產較慢。