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三星計劃三年內打造 3 納米 GAA(Gate-all-around)工藝

日期:2022-06-20 閱讀:249
核心提示:據 BusinessKorea 報道,三星電子正計劃通過在未來三年內打造 3 納米 GAA(Gate-all-around)工藝來追趕世界第一大代工公司臺積
據 BusinessKorea 報道,三星電子正計劃通過在未來三年內打造 3 納米 GAA(Gate-all-around)工藝來追趕世界第一大代工公司 —— 臺積電。
 
據悉,GAA 是下一代工藝技術,改進了半導體晶體管的結構,使柵極可以接觸到晶體管的所有四面,而不是目前 FinFET 工藝的三面,GAA 結構可以比 FinFET 工藝更精確地控制電流。
 
根據 TrendForce 的數據,在 2021 年第四季度,臺積電占全球代工市場的 52.1%,遠遠超過三星電子的 18.3%。
 
三星電子正押注于將 GAA 技術應用于 3 納米工藝,以追趕臺積電。據報道,這家韓國半導體巨頭在 6 月初將 3 納米 GAA 工藝的晶圓用于試生產,成為全球第一家使用 GAA 技術的公司。三星希望通過技術上的飛躍,快速縮小與臺積電的差距。3 納米工藝將半導體的性能和電池效率分別提高了 15% 和 30%,同時與 5 納米工藝相比,芯片面積減少了 35%。
 
繼今年上半年將 GAA 技術應用于其 3 納米工藝后,三星計劃在 2023 年將其引入第二代 3 納米芯片,并在 2025 年大規模生產基于 GAA 的 2 納米芯片。臺積電的戰略是在今年下半年使用穩定的 FinFET 工藝進入 3 納米半導體市場,而三星電子則押注于 GAA 技術。
 
專家稱,如果三星在基于 GAA 的 3 納米工藝中保證了穩定的產量,它就能成為代工市場的游戲規則改變者。臺積電預計將從 2 納米芯片開始引入 GAA 工藝,并在 2026 年左右發布第一個產品。對于三星電子來說,未來三年將是一個關鍵時期。
 
最近,三星宣布,在未來五年內,將在半導體等關鍵行業投資共計 450 萬億韓元(約 2.34 萬億元人民幣)。然而,三星在 3 納米工藝方面遇到了障礙。與三星一樣,臺積電在提高 3 納米工藝的產量方面也有困難。
 
臺積電原本計劃從 7 月開始用 3 納米技術為英特爾和蘋果大規模生產半導體,但在確保理想的產量方面遇到了困難。DigiTimes 報道稱,臺積電在確保 3 納米工藝的理想產量方面遇到了困難,因此多次修改其技術路線圖。
 
三星電子也面臨著類似的情況,3 納米工藝的試生產用晶圓已經投入使用,但由于產量低的問題,該公司一直在推遲宣布正式的大規模生產。現代汽車證券的研究主管 Roh Keun-chang 說:“除非三星電子為其 7-nm 或更先進的工藝確保足夠的客戶,否則可能會加劇投資者對三星電子未來業績的焦慮。”
 
(來源:IT之家)
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