半導體產業網獲悉，日前，在新馬工業園內，湖南德智新材料有限公司（以下簡稱“德智新材料”）半導體用碳化硅蝕刻環項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產。
據德智新材料董事長柴攀表示，此次半導體用碳化硅蝕刻環項目，總投資約2.5億元，主要用于半導體用碳化硅蝕刻環的研發、制造，投產后年產值超1億元。
消息顯示，SiC刻蝕環是半導體材料在等離子刻蝕環節中的關鍵耗材。SiC刻蝕環對純度要求極高，只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環節。
據官方介紹，德智新材料成立于2017年，是一家專業從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復合材料研發，生產和銷售的高新技術企業。
