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氮化鎵芯片企業鎵未來完成近億元A+融資

日期:2022-05-27 來源:化合物半導體市場閱讀:326
核心提示:近日,氮化鎵芯片領先企業珠海鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)宣布完成近億元A+輪融資。
近日,氮化鎵芯片領先企業珠海鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)宣布完成近億元A+輪融資。
 
據悉,本輪投資由順為資本、高瓴創投、盈富泰克聯合投資,深啟投資擔任獨家財務顧問。融資將主要用于氮化鎵功率芯片新產品研發及應用方案開發,此外還將用于供應鏈建設。
 
鎵未來成立于2020年10月,致力于高端氮化鎵功率器件的研發、設計和生產,公司成立至今已累計融資三輪,合計超2億元。
 
融資歷程:
 
2021年2月,獲得珠海科創投、大橫琴集團、境成投資、禮達聯馬投資和世聯行天使輪融資;
 
2021年8月,獲得珠海科創投、大橫琴集團、境成投資、禮達聯馬投資和世聯行A輪融資,融資金額為數千萬元;
 
2022年4月,獲得天壹資本、盈富泰克、華金資本B輪融資。
 
2021年,鎵未來研發并量產了適用于30W-120W電源適配器的氮化鎵開關器件產品,主要應用于手機/筆記本快充中,在手訂單達數百萬顆。2022年將繼續推出適用于140W、200W、330W等低功率應用場景的高性能氮化鎵功率器件產品及電源整體解決方案。
 
目前最具發展潛力的材料即為具備高功率及高頻率特性的寬禁帶(Wide Band Gap;WBG)半導體,包含碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN),主要應用大宗為電動車、快充市場。據TrendForce集邦咨詢研究推估,第三代功率半導體產值將從2021年的9.8億美元,至2025年將成長至47.1億美元,年復合成長率達48%。
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Source:TrendForce集邦咨詢
 
其中,GaN適合高頻率應用,包括通訊裝置,以及用于手機、平板、筆電的快充。相較于傳統快充,GaN快充擁有更大的功率密度,故充電速度更快,且體積更小便于攜帶,吸引不少OEM、ODM業者加入而開始高速發展,預估GaN功率半導體至2025年可達13.2億美元。 
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