日前，賽微電子官微表示，公司與濰坊市青州市合作投建的“青州聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項目”主廠房封頂。該項目于去年4月1日簽約。

 

圖片來源：賽微電子

 

據(jù)官微介紹，聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項目計劃總投資10億元，規(guī)劃最終形成總體產(chǎn)能6萬片/年，一期產(chǎn)能3萬片/年。聚能國際一期產(chǎn)能建設(shè)投資5億元，總規(guī)劃占地面積40畝，建筑總面積約為1.3萬平方米，其中生產(chǎn)凈化車間建筑面積約為1萬平方米。

 

聚能國際首席運營官王永海表示，目前已完成基建施工和主體廠房封頂，下一階段啟動建設(shè)潔凈室機電工程，計劃在今年10月開始搬入設(shè)備，爭取在今年內(nèi)完成設(shè)備的安裝與調(diào)試。

 

據(jù)了解，賽微電子于2018年7月投資設(shè)立聚能創(chuàng)芯，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設(shè)計、開發(fā)；于2018年6月投資設(shè)立聚能晶源，主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)。截至目前，作為賽微電子GaN業(yè)務(wù)一級平臺公司，聚能創(chuàng)芯在6-8英寸硅基GaN外延晶圓、GaN功率器件及應(yīng)用方面已形成系列產(chǎn)品。