市調(diào)機構(gòu)Yole Développement數(shù)據(jù)顯示，2021年全球3D封裝前七大企業(yè)資本支出合計達119億美元，英特爾、臺積電、日月光分別排名前三，中國大陸長電科技、通富微電上榜。

 

 

 公司到2021年先進性能封裝資本支出。資料來源：Yole Developpement。

 

市場分析師表示，這旨在幫助這些公司服務(wù)于2021年價值約27.4億美元的此類封裝市場。到2027年，該市場的價值將以19%的復(fù)合年增長率增長。Yole預(yù)測，屆時先進封裝市場的價值將在當年達到78.7億美元。

 

2021 年，英特爾是投資35億美元支持Foveros和EMIB（嵌入式多芯片互連橋）技術(shù)的最大投資者。Foveros是英特爾的3D芯片堆疊技術(shù)，包括在有源硅中介層上堆疊芯片。它的2.5D封裝使用基于55微米凸塊間距的EMIB。Foveros和EMIB的結(jié)合催生Co-EMIB（Foveros（有源 Si 中介層）+ Embedded Multi- die 互連橋），它已用于Ponte Vecchio圖形處理器。

 

另一個領(lǐng)先者是代工臺積電，它在2021年在封裝資本支出上花費了30.5億美元。

 

臺積電正在為3D片上系統(tǒng)組件定義新的系統(tǒng)級路線圖和技術(shù)。其CoWoS平臺提供硅中介層，而其LSI平臺是EMIB的直接競爭對手。

 

日月光斥資 20 億美元資本支出，是最大也是唯一一家試圖與代工廠和集成設(shè)備制造商競爭的純封裝公司。憑借其FoCoS（扇出芯片基板）產(chǎn)品，日月光也是目前唯一具有超高密度扇出解決方案的 OSAT（包半導(dǎo)體組裝和測試）。

 

排名第四的三星資本支出為15億美元，其擁有類似于CoWoS-S（基板上晶圓上的芯片）的I-Cube技術(shù)。三星是 3D 堆疊內(nèi)存解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者之一，提供高帶寬內(nèi)存 (HBM) 和 3DS。它的 X-Cube 將使用混合鍵合互連。

 

安靠、長電科技和通富微電分別以7.8億美元、5.93億美元、4.87億美元排名第五、第六、第七。目前來看，OSAT的財務(wù)和前端能力無法在先進封裝競賽中與英特爾、臺積電和三星等大公司并駕齊驅(qū)。