在關于新型顯示材料與器件方面，共設8項共性關鍵技術和4項典型應用示范項目。設有：柔性顯示用無鎘無鉛量子點發光顯示關鍵材料及器件研究（共性關鍵技術，部省聯動），基于計算-實驗- 數據融合的高光效窄譜帶藍光OLED/QLED 發光材料與器件研究（基礎前沿技術），柔性顯示用聚酰亞胺新材料關鍵技術（共性關鍵技術），柔性顯示加工關鍵裝備工藝技術開發（共性關鍵技術）， OLED 顯示玻璃材料關鍵技術開發（典型應用示范）， 面向AR 應用的高像素密度Micro-LED 微顯示關鍵技術（共性關鍵技術）， 高亮度Micro-LED 投影顯示關鍵技術研究（共性關鍵技術），柔性Micro-LED 顯示關鍵技術研究（共性關鍵技術，部省聯動），近零功耗彩色電子紙顯示材料與柔性顯示器件（典型應用示范），全印刷薄膜晶體管（TFT）與電場調控驅動技術（共性關鍵技術），集成屏下攝像頭等傳感技術的柔性顯示微系統應用示范（典型應用示范，部省聯動）和 LTPO 技術應用示范（典型應用示范）12個研究課題。

 

　　在第三代半導體材料與器件方面，共布局8個共性關鍵技術、5個基礎前沿技術和6個典型應用示范項目。包括：抗輻射SiC 基功率電子器件及其在航天電源中的應用（共性關鍵技術），面向軌道交通和智能電網應用的高壓SiC 基功率電子材料和器件（典型應用示范），面向工業電機應用的GaN 基功率電子材料與器件（共性關鍵技術），GaN 基縱向功率電子材料與器件研究（基礎前沿技術），GaN 基互補型邏輯集成電路技術的基礎研究（基礎前沿技術），高頻寬帶移動通信用濾波器關鍵技術研究（典型應用示范），InGaN 基長波段LED 關鍵技術（共性關鍵技術，定向委托），面向現代農業高效種養需求的LED 技術及其示范應用（典型應用示范，部省聯動），面向生殖健康醫療需求的LED 技術及專用系統研制（典型應用示范），大功率深紫外AlGaN 基LED 發光材料與器件產業化關鍵技術（典型應用示范），高靈敏度寬禁帶半導體紫外探測器及多元成像技術（共性關鍵技術），面向公共衛生等領域的深紫外LED 模組和裝備開發及應用示范（典型應用示范），波長短于250 納米的AlGaN 基深紫外LED、紫外激光材料與器件關鍵技術（共性關鍵技術），GaN 單晶襯底材料制備產業化技術（共性關鍵技術），AlN 單晶襯底制備和同質外延關鍵技術（共性關鍵技術），鎵系寬禁帶半導體異質結構材料基因工程和信息感知器件（基礎前沿技術），大尺寸氧化鎵半導體材料與高性能器件研究（共性關鍵技術），面向器件研制的大尺寸金剛石半導體材料制備和高效摻雜（基礎前沿技術）和氮化物寬禁帶半導體強耦合量子結構材料和器件（基礎前沿技術）在內19個研究課題。

 

　　在大功率激光材料與器件方面，布局有3個共性關鍵技術、1個基礎前沿技術和3個典型應用示范項目。包括：大尺寸激光晶體材料制備的關鍵技術與應用研究（共性關鍵技術），晶體薄片加工及新一代增益器件制備（基礎前沿技術），光纖激光器用高性能激光光纖（典型應用示范），高損傷薄膜光學器件及大口徑光柵制備及工藝研究（共性關鍵技術），高性能SESAM 材料器件關鍵技術（典型應用示范），重頻寬帶大脈沖能量激光技術研究（共性關鍵技術）和千瓦級高功率特種光纖激光器（典型應用示范，部省聯動）7個研究課題。

 

　　在前沿電子材料與器件方面，布局有4個共性關鍵技術和1個基礎前沿技術。量子點納米像元發光顯示（QD-NLED）關鍵技術（共性關鍵技術），集成成像光場顯示關鍵技術（共性關鍵技術），高頻大帶寬射頻濾波關鍵材料與器件技術（共性關鍵技術），中紅外氣體檢測材料與器件關鍵技術及應用（共性關鍵技術），垂直溝道銦鎵鋅氧場效應晶體管動態隨機存儲器（DRAM）技術研究（基礎前沿技術）5個研究課題。

 

　　在青年科學家項目方面，布局有新型鎵化合物量子點發光材料研究，柔性雙柵氧化物TFT 器件與電路研究，基于原子層沉積氧化物半導體薄膜晶體管的Micro-LED 驅動研究，高動態彩色激光全息三維顯示關鍵技術研究，高折射高透明聚環烯烴關鍵材料與聚合反應研究，高性能長壽命晶態藍光OLED 器件研究，大功率低插損GaN 基開關關鍵技術，高維多自由度渦旋光場的調控機理與調控技術，高功率連續啁啾激光遠距離單光子差分測距技術，大功率高頻段太赫茲激光器研究，基于線性單光子過程的極紫外相干光源研究，基于范德華外延的柔性氮化物納米發光器件及顯示陣列研究，虛實融合真3D 顯示機理與關鍵材料研究，基于阻變存儲器件的神經網絡脈沖動力學研究和新型鉿基鐵電材料與器件集成技術研究在內15個研究課題。

 

　　備注：請各單位登錄國家科技管理信息系統公共服務平臺查看相關項目申報指南。網址：https://service.most.gov.cn/index/