據介紹，碳化硅材料已成為全球半導體產業戰略競爭的新高地，對實現“雙碳”具有重要的戰略意義。因碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優點，更適合開發具有耐高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等優勢的功率半導體器件，可有效突破傳統硅基材料的物理極限，已成為我國重點發展的戰略性先進半導體。

 

2021年9月，中電科二所建設了碳化硅芯片mini線，并負責整線運行和維護。針對整個項目時間緊、任務重的情況，研究所憑借自身的行業影響力和資源調配能力，在水、電、氣等配套條件完成后的30日內，完成單機設備調試、碳化硅整線工藝調試，并成功產出碳化硅芯片，創造了山西速度。

 

中電科二所有關負責人表示，該項目的成功是落實我省“十四五”規劃將半導體產業打造成新支柱產業取得的階段性重大成果，也代表著我省向半導體領域轉型發展道路上的一個重要進展。下一步，研究所將全力以赴推進實驗室二期碳化硅芯片中試線和碳化硅器件智能封裝線的建設。