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漢磊6英寸SiC產(chǎn)能滿負(fù)荷,首度表態(tài)進(jìn)軍8英寸制程

日期:2021-12-29 閱讀:453
核心提示:漢磊由于6英寸碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)產(chǎn)能滿負(fù)荷,首度表態(tài)將進(jìn)入8英寸SiC制程,預(yù)期8英寸SiC基板成本將大幅減少二至三成,獲利會(huì)更棒,進(jìn)一步擴(kuò)大運(yùn)營(yíng)動(dòng)能。
 漢磊由于6英寸碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)產(chǎn)能滿負(fù)荷,首度表態(tài)將進(jìn)入8英寸SiC制程,預(yù)期8英寸SiC基板成本將大幅減少二至三成,獲利會(huì)更棒,進(jìn)一步擴(kuò)大運(yùn)營(yíng)動(dòng)能。
 
漢磊目前6英寸SiC、GaN月產(chǎn)能各約1000片,明年SiC產(chǎn)能將大幅提升,GaN也將擴(kuò)展至2000片,漢磊營(yíng)銷業(yè)務(wù)中心副總經(jīng)理張載良表示,目前6英寸SiC產(chǎn)能持續(xù)滿負(fù)荷,未來擴(kuò)展的產(chǎn)能,增長(zhǎng)動(dòng)能集中在車用與太陽能。
 
漢磊首度表態(tài)將進(jìn)入8英寸SiC制程,張載良指出,隨著全球SiC芯片龍頭廠Wolfspeed大舉擴(kuò)產(chǎn),相關(guān)產(chǎn)能將大增30倍,臺(tái)灣、中國(guó)諸多廠商加入化合物半導(dǎo)體行列,預(yù)估未來8英寸基板成本有望減少二至三成,漢磊也不會(huì)缺席8英寸SiC領(lǐng)域。
 
法人表示,受益電動(dòng)汽車的投資擴(kuò)大,帶動(dòng)相關(guān)電池、第三代半導(dǎo)體周邊供應(yīng)鏈的需求大增,持續(xù)看好漢磊2022年的運(yùn)營(yíng),并由于產(chǎn)品組合優(yōu)化,毛利率將增長(zhǎng),包括化合物半導(dǎo)體、暫態(tài)電壓抑制器、快速回復(fù)二極管、車用MOSFET四大業(yè)務(wù)將在明年占營(yíng)收比重至60~70%。
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