近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司協辦支持的“射頻電子器件與應用論壇“上,南京電子器件研究所高級工程師張凱帶來了題為“大功率GaN微波毫米波二極管及其創新應用”的線上主題報告，第三代半導體GaN具有高擊穿、高速工作、耐高溫等特性，報告首次報道系列大功率GaN微波毫米波肖特基二極管（初代產品），目前國內外尚無類似產品。同時，展示了采用GaN二極管研制的微波整流、限幅器、太赫茲倍頻器等典型電路。相對于傳統Si二極管，該系列GaN二極管具有顯著的大功率、高速工作等特征，工作頻率可涵蓋1~300GHz，有望促進無線輸能、射頻開關、高功率限幅及太赫茲固態源等各類應用的發展。

 

張凱博士，2015年加入南京電子器件研究所微波毫米波單片集成與模塊電路重點實驗室，高級工程師，榮獲中國電科十大青年拔尖人才等。他專注于探索創造新穎的、先進的GaN器件,包括高頻大功率射頻HEMT器件、太赫茲器件以及各類二極管及相應電路等。

 

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）