近日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
期間，“固態紫外材料與器件技術“論壇上，鄭州大學Muhammad NawazSharif做了題為“銦摩爾分數對InGaN基近紫外發光二極管光學性能的影響”的視頻報告，分享了最新研究成果，報告顯示，InGaN基量子阱 (QW) 具有更高的穿透位錯密度 (TDD)，盡管TDD較高，但QW中的銦 (In) 波動會產生具有較高銦成分的局域激子。定域激子防止結合載流子非輻射復合，因銦成分較高而減少的非輻射復合導致自發發射率和內量子效率 (IQE) 提高。
報告指出，盡管具有更高的TDD，基于InGaN的MQW具有更高的局域激子生成，這可以防止束縛載流子非輻射復合，從而提高性能。計算結果表明，隨著 InGaN MQW中銦成分的增加，輻射復合率和載流子注入效率提高，從而顯著提高了 IQE 和發射功率。
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