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美國電力首席執行官Victor VELIADIS教授:碳化硅大規模商業化:現狀與障礙

日期:2021-12-10 來源:半導體產業網閱讀:482
核心提示:美國電力首席執行官、北卡羅萊納州立大學教授Victor VELIADIS在線分享了“碳化硅大規模商業化:現狀與障礙”主題報告。
近日,由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)聯合主辦,北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳會展中心舉行。
 
期間, “IFWS  2021:碳化硅功率器件與封裝應用論壇“成功召開。會議由蕪湖啟迪半導體有限公司 、中國電子科技集團公司第四十八研究所、北京北方華創微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司協辦支持。會上,美國電力首席執行官、北卡羅萊納州立大學教授Victor VELIADIS在線分享了“碳化硅大規模商業化:現狀與障礙”主題報告。

硅 (Si) 功率器件因其低成本的批量生產、出色的原材料質量、易于制造和久經考驗的可靠性而在電力電子產品中占據主導地位。盡管 Si 功率器件繼續取得重大進展,但它們正接近其工作極限,主要是因為它們的帶隙和臨界電場相對較低,導致高傳導和開關損耗,以及較差的高溫性能。
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Victor VELIADIS 1
在本次演講中,Victor VELIADIS教授概述碳化硅 (SiC) 的有利材料特性,這些特性可用于實現外形尺寸和冷卻要求更低的高效功率器件。展示高影響力的應用機會,其中 SiC 器件正在取代其現有的 Si 器件。材料和器件制造方面將被強調,重點是那些不是從成熟的硅制造領域繼承下來的工藝,因此是碳化硅特有的。

特別是,演講重點介紹了平面和溝槽 MOSFET 的設計,它們目前被插入到大多數基于 SiC 的電力電子系統中。分析 Fab 模型,并展示充滿活力的美國 SiC 制造基礎設施(反映 Si 的制造基礎設施)。并討論 SiC 大規模商業化的障礙。其中包括高于硅器件的成本、可靠性和堅固性問題、降低器件性能的缺陷,以及需要訓練有素的勞動力才能熟練地將 SiC 插入電力電子系統。

最后,并簡要介紹了 PowerAmerica 生態系統,該生態系統涵蓋 WBG 供應鏈的各個方面,以及它為其 67 個成員帶來的價值。

(內容根據現場資料整理,如有出入敬請諒解!)
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