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2021年中國功率半導(dǎo)體分立器件市場現(xiàn)狀及發(fā)展前景分析

日期:2021-11-01 來源:前瞻網(wǎng)閱讀:291
核心提示:預(yù)計到2026年,中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量將超過16000億只,產(chǎn)值將超過500億元。
1、功率分立器件產(chǎn)量和產(chǎn)值持續(xù)上漲
功率半導(dǎo)體分立器件指額定電流不低于1A,或額定功率不低于1W的半導(dǎo)體分立器件。2015-2020年,中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量和產(chǎn)值均呈現(xiàn)持續(xù)上漲的趨勢。2020年,中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量為4885億只,較2019年同比增長8%。2020年,中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)值達到165.6億元,較2019年同比增長3%。
 
 
 
 
 
 
 
2、MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢凸顯、需求量大
 
功率半導(dǎo)體分立器件可以進一步劃分為功率二極管、功率晶體管和功率晶閘管三大類,其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均屬于功率晶體管的范疇,SCR、GTO和IGCT則屬于功率晶閘管的范圍內(nèi)。功率晶體管中,MOSFET和IGBT屬于全控型分立器件,MOSFET根據(jù)應(yīng)用特性的不同,還包括平面型功率MOSFET、溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET和屏蔽柵功率MOSFET等多種類型。
 
 
MOSFET在分立功率半導(dǎo)體器件當中排名首位,2019年占市場規(guī)模的36.3%,其次為二極管、其他三極管(包括IGBT)及晶閘管,市場份額分別為32.2%、26.0%及5.5%。
 
MOSFET的優(yōu)勢在于開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單、工作頻率高以及不存在二次擊穿問題等方面;而功率二極管具有結(jié)構(gòu)和原理簡單、工作可靠的優(yōu)勢?;诋a(chǎn)品自身的特點和優(yōu)勢,MOSFET和二極管在功率分立器件市場中占據(jù)近70%的市場規(guī)模。在MOSFET下游應(yīng)用的快速發(fā)展基礎(chǔ)下,按MOSFET銷售額劃分的市場規(guī)模已由2015年的37億美元增至2019年的53億美元,復(fù)合年增長率約9.2%。
 
 
3、功率分立器件市場規(guī)模將繼續(xù)增長
 
展望未來,依據(jù)全球需求的普遍上升,加上中國制造分立器件如MOSFET、二極管及三極管的龐大產(chǎn)能,中國功率半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模預(yù)期將會持續(xù)增長。預(yù)計到2026年,中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量將超過16000億只,產(chǎn)值將超過500億元。
 
 
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