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【CASICON 2021】安徽芯塔電子科技倪煒江:高性能高壓SiC器件設(shè)計與技術(shù)

日期:2021-09-17 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:495
核心提示:報告從材料特性、器件結(jié)構(gòu)、發(fā)展現(xiàn)狀等方面介紹高性能高壓SiC器件的技術(shù)及發(fā)展趨勢,以及芯塔電子在SiC功率器件方面的技術(shù)和產(chǎn)品布局。
9月13-14日,“2021中國(南京)功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會(CASICON 2021)”在南京召開。本屆峰會由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦,并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
倪煒江
會上,安徽芯塔電子科技有限公司總經(jīng)理倪煒江帶來了題為“高性能高壓SiC器件設(shè)計與技術(shù)”的主題報告,報告從材料特性、器件結(jié)構(gòu)、發(fā)展現(xiàn)狀等方面介紹高性能高壓SiC器件的技術(shù)及發(fā)展趨勢,以及芯塔電子在SiC功率器件方面的技術(shù)和產(chǎn)品布局。
 
倪煒江表示,公司目前可以提供600-1200V 各種各種型號和規(guī)格的SiC肖特基二極管;4英寸、6英寸SiC肖特基二極管的裸晶圓、裸芯片;SiC功率模塊和客制化SiC肖特基二極管器件;SiC生產(chǎn)線的建線技術(shù)服務(wù),包括設(shè)備、工藝、產(chǎn)能和技術(shù)規(guī)劃。基于國產(chǎn)工藝平臺、國產(chǎn)外延和自主知識產(chǎn)權(quán)的6英寸SiC MOSFET器件( 1200V 40mΩ,80mΩ )。芯塔電子愿與產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)秀企業(yè)和團(tuán)隊深入合作,共同打造基于全國產(chǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。
 
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