近日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業網、第三代半導體產業主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導。
會上，南京航空航天大學教授張之梁帶來了題為“1kV寬禁帶LLC變換器控制與應用”的主題報告，從1-kV SiC LLC變換器與工程優化、1-kV 1-MHz GaN LLC變換器數字同步整流技術、LLC變換器 線性—非線性 動態控制策略等角度，分享了最新研究進展。
報告指出，隨著寬禁帶(Wide Band Gap, WBG) 器件迅速發展，GaN/SiC器件得到越來越廣泛應用。報告介紹了基于1-kV輸入GaN/SiC高頻LLC電路、平面磁件優化與設計、數字同步整流技術、非線性動態控制技術。通過SiC/GaN高頻電力電子電路與控制技術及其應用，展示第三代半導體器件給高性能電源系統帶來的優勢與前景。
提出了1-kV輸入分離諧振腔LLC電路，減小變壓器匝間電容造成的諧振波形畸變的問題；優化諧振電感連接方式，減小板間面積。Stack-Bridge LLC變換器研究：完成了一臺1 kV輸入，32 V/3 kW輸出，1 MHz的樣機。該樣機的效率可達95.18%，功率密度可達107 W/in3，體積比同條件下300 kHz的SiC樣機減小69%；提出LLC變換器 線性—非線性 動態控制策略，完全空載切滿載條件下與傳統線性控制對比輸出電壓跌落減小18.8%，調節時間減小79.3%。脈沖負載下輸出電壓頂降小于輸出電壓±5%。
嘉賓簡介
張之梁，研究方向為高頻寬禁帶電力電子技術；獲國家優秀青年科學基金、江蘇省杰出青年基金、教育部霍英東青年基金；發表IEEE Trans. on Power Electron.論文50余篇；獲江蘇省科學技術獎二等獎1項，國防科學技術進步二等獎1項；擔任IEEE JESTPL編委。主持軍工與企業研發類項目30余項，成果在航天五院、華為等產品中得到應用。
