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【CASICON 2021】第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山:中國功率與射頻技術市場現狀及未來展望

日期:2021-09-14 來源:半導體產業網作者:CASICON閱讀:781
核心提示:未來5年將是第三代半導體產業發展的關鍵期,全球資本加速進入第三代半導體材料、器件領域,產能大幅度提升,競爭不斷加劇,國內企業更要提前做好應對國際競爭的準備。
9月13-14日,“2021中國(南京)功率與射頻半導體技術市場應用峰會(CASICON 2021)”在南京召開。本屆峰會由半導體產業網、第三代半導體產業主辦,并得到了南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導,以及藍雨軟件技術開發(上海)有限公司、愛發科商貿(上海)有限公司、寧波恒普真空技術有限公司、蘇州晶湛半導體有限公司、青島聚能創芯微電子有限公司、德儀國際貿易(上海)有限公司、大族激光顯示與半導體裝備事業部、上海翱晶半導體科技有限公司、上海智湖信息技術有限公司、蕪湖啟迪半導體有限公司、湖南國芯半導體科技有限公司等單位的大力支持。
會上,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山帶來了題為“中國功率與射頻技術市場現狀及未來展望”的主題報告。他表示,當前國際企業上下游延伸趨勢日益明顯,全產業鏈布局進一步提升競爭優勢。并且,國際企業已經完成大規模擴產,2020年-2022年產能將逐步釋放。國際龍頭企業占據市場主要份額,全球第三代半導體仍然由美日歐企業主導。
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以SiC和GaN為代表的第三代半導體在新能源汽車、5G、光伏發電、PD快充等領域不斷取得突破,全球第三代半導體市場總體保持增長態勢。全球半導體2020年市場規模達到4400億美元,同比增長6.8%。其中,電力電子市場近9億美元。根據Yole和Omdia數據顯示,2020年,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體的全球市場8.54億美元,SiC電力電子市場規模約為7.03億美元,GaN電力電子市場規模約為1.51億美元。到2025年SiC電力電子市場規模將超過30億美元,GaN電力電子器件市場規模將超過6.8億美元。2020年全球功率半導體器件市場規模約為180~200億美元,SiC、GaN電力電子器件滲透率約為4.2%~4.5%,較2019年提升一個百分點。
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第三代半導體微波射頻市場規模超過8億美元。Yole 2020年數據顯示,2020-2025年全球GaN射頻器件的總體市場將以12%的年均復合增長率(CAGR)從8.3億美元增長至超過20億美元。其中,國防應用是GaN射頻器件市場的最重要驅動力量,2020-2025年將以22%的年均復合增長率(CAGR)從3.4億美元增長至超過11.1億美元;5G基站建設是GaN射頻器件市場的另一關鍵驅動力量,2020-2025年將以15%的年均復合增長率(CAGR)從3.7億美元增長至超過7.3億美元;GaN射頻器件在無線寬帶、射頻能量、商業雷達等市場均呈現增長態勢。

他指出,國內已經形成了比較完整的產業鏈,國內第三代半導體產業已經開始由“導入期”向“成長期”過渡,商業技術逐步穩定、價格接近甜蜜點、應用示范效應拉動,各市場漸次開啟,帶來需求高速增長。截至2020年底,國內有超過170家從事第三代半導體電力電子和微波射頻的企業,而2018年尚不足100家。同時,國內高度重視,推出新舉措引導和扶持半導體產業,各級政策持續跟進。并且國內研發實力提升,與先進水平差距縮小。資本市場持續活躍,2020年共24筆投資擴產項目(2019年17筆),投資擴產金額達到694億元(不含GaN光電子),較2019年同比增長161%。

CASA Research數據顯示,2020年我國第三代半導體產業電力電子和射頻電子總產值超過100億元,較2019年增長69.5%。其中,SiC、GaN電力電子產值規模達44.7億元,同比增長54%,襯底材料約2.2億元,外延及芯片約5億元,器件及模組約7.2億元,裝置約30億元,相較前幾年,中下游的增長速度加快。而GaN微波射頻產值達到60.8億元,同比增長80.3%。其中,襯底約6.5億元,外延及芯片9.2億元,器件及模組19.6億元,裝置約25.5億元。

總結時指出,“十四五”是我國第三代半導體產業發展的關鍵窗口期,國家雙碳戰略開始布局,新基建、中國制造2025將要收官,巨大的市場需求為功率半導體、射頻技術和產業的發展創造了機遇。中國企業具備做大做強的政策和市場基礎。歷經多年的布局和發展,我國第三代半導體產業初步形成了從材料、器件、封測到應用的全產業鏈,但整體技術和產業競爭力與國外龍頭企業相比還存在較大差距,自主可控國產化器件的市場占比還很小,存在與國際差距不斷拉大的風險。未來5年將是第三代半導體產業發展的關鍵期,全球資本加速進入第三代半導體材料、器件領域,產能大幅度提升,競爭不斷加劇,國內企業更要提前做好應對國際競爭的準備。
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嘉賓簡介
于坤山,教授級高級工程師,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長。曾擔任輸配電及節電技術國家工程研究中心總工,中國電力科學研究院電力電子公司、中電普瑞科技有限公司副總經理兼總工程師,電力電子研究所、微電子研究所所長、電工新材料及微電子研究所所長等職務。長期從事電力電子和電能質量領域的技術研究和工程應用。
 
近年來,在國內外核心刊物上發表論文15篇;獲專利34項,其中獲發明專利授權8項;出版專著兩部,譯著一部。獲國家科技進步二、三等獎各一項,省部級一、二等獎各2項,三等獎一項。1994年享受國務院政府特殊津貼,1999年獲人事部有突出貢獻中青年專家稱號,1999年獲首屆中國電機工程青年科技獎,2000年獲原國家電力公司首屆青年科技創新獎,2007年獲國家電網公司優秀專家人才稱號。
 

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