9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業網、第三代半導體產業主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導。

會上，中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任陳堂勝帶來了“低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件”的主題報告，介紹了GaN微波功率器件發展現狀以及金剛石GaN HEMT近結散熱技術進展和低溫鍵合金剛石GaN HEMT。

他表示，GaN HEMT的性能優勢已得到充分體現，其工程應用也已獲得巨大成功，國內GaN HEMT及MMIC還需進一步提升工藝能力，努力在生產規模擴大和成本管控上下功夫。金剛石材料與GaN HEMT的結合可改進GaN器件的散熱，進一步發掘GaN HEMT的微波性能優勢，金剛石GaN HEMT是可以期待的新一代固態微波功率器件技術。低溫鍵合金剛石GaN具有多方面的技術優勢，55所取得了初步研究結果。改進金剛石襯底的平整度、粗糙度，進一步優化鍵合工藝，降低鍵合界面空洞率，推進金剛石GaN HEMT的工程應用是器件工藝研究努力的方向。

 

陳堂勝，現為中國電子科技集團公司制造工藝領域首席科學家，長期從事GaAs、GaN等化合物半導體微波功率器件和單片電路的研制，目前在開展金剛石襯底GaN HEMT、異構集成等方面的研究。