中國最高行業監管機構將重要的半導體基礎材料碳化硅（SiC）納入工業技術創新發展五年計劃。專家表示，此舉是工業和信息化部引導碳基材料發展以支持芯片創新和發展的更廣泛努力的一部分。

 

專家表示，碳基材料可以很好地替代硅基半導體材料，它們是中國旨在實現突破的第三代半導體技術的重要組成部分。工信部表示，將碳基材料列入原材料產業發展“十四五”規劃（2021-25），將碳化硅和碳基復合材料列入“十四五”產業技術創新發展規劃。更大的目標是支持行業攻克技術壁壘，提升產品質量，推動產業鏈現代化。

 

東興證券在一份研究報告中表示，在大量自然儲量中發現的硅已成為制造芯片和設備的最重要原材料。90%以上的半導體產品都是用硅作為基板。但受限于材料本身的特性，硅基功率器件逐漸無法滿足5G、新能源汽車、高鐵等新興應用對大功率高頻器件的需求。

 

因此，碳化硅有望部分替代硅，成為制備高壓高頻器件的新型襯底材料，東興證券表示。隨著中國在“后摩爾時代”尋求第三代芯片的突破，碳化硅是第三代半導體技術的重要材料。1975年，英特爾聯合創始人戈登摩爾制定了一個規則，即硅芯片上的晶體管數量大約每兩年翻一番。但快速的技術進步可能會使該規則在未來過時。

 

5 月，劉鶴副總理出席的政府會議討論了后摩爾時代集成電路或 IC 的潛在顛覆性技術。粵凱證券在研報中表示，第三代半導體技術顯然是重要的發展方向，其下游應用主要集中在5G基站、新能源充電樁、城際高鐵等領域。

 

第三代半導體技術為中國芯片制造商追趕外國同行提供了良機。粵凱證券補充說，第三代半導體產品主要采用成熟的制造和加工技術，與傳統的硅基半導體技術相比，國內制造商面臨的障礙較少。
 

電信行業協會信息消費聯盟理事長項立剛表示：“第三代半導體技術應用的主戰場在中國，但國內企業要解決一個字符串問題還需要很長時間。在廣泛普及這些技術之前面臨的挑戰。”