氮矽科技成立于2019年，公司位于四川成都，公司主要研發(fā)基于第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）的芯片，專注于氮化鎵功率器件及其驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)研發(fā)、銷售及方案提供。目前，氮矽科技的功率氮化鎵產(chǎn)品已批量出貨，主要運(yùn)用于快消品市場(chǎng)。從2018年開(kāi)始，小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo等手機(jī)品牌率先推出快速充電頭，相比于傳統(tǒng)硅材料，氮化鎵芯片具有超低Rds(on)、高擊穿電壓、高功率、高頻率、小尺寸等優(yōu)勢(shì)，能不斷縮小PD快充頭的體積、增大PD快充頭的功率，備受廠家喜愛(ài)。

 

從技術(shù)路線上看，國(guó)外設(shè)計(jì)公司Navitas采用的是單片集成路線，國(guó)內(nèi)氮化鎵IDM龍頭英諾賽科走分離器件路線，氮矽科技選擇在高壓端（>600V）采用分離以及系統(tǒng)級(jí)封裝集成路線，在低壓端（<200V）增加單片集成選項(xiàng)。以提高器件的可靠性安全性為理念，氮矽科技目前已發(fā)布推出驅(qū)動(dòng)芯片DX1001、傳統(tǒng)封裝功率器件產(chǎn)品DX6507X、DX6510X、DX6515X、先進(jìn)封裝功率器件產(chǎn)品DX6507E、DX6510E、先進(jìn)封裝合封產(chǎn)品DX6521E等多樣化產(chǎn)品以供客戶選擇。其中，DX6510E（PDDFN4*4）是目前全球最小的650V氮化鎵芯片，被ASPENCORE評(píng)選為2021年度最佳新材料器件獎(jiǎng)。

 

此外，在氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，氮矽科技完成了100V功率氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)芯片的流片測(cè)試，并將于2021年Q3發(fā)布；在晶體管與驅(qū)動(dòng)集成領(lǐng)域，氮矽科技將于8月底發(fā)布氮化鎵晶體管與其驅(qū)動(dòng)芯片的合封產(chǎn)品，同時(shí)完成了低壓氮化鎵單片集成芯片的研發(fā)與流片。在市場(chǎng)與銷售端，氮矽科技的功率氮化鎵產(chǎn)品DX6510X和DX6515X已批量出貨。在商業(yè)模式上，由于氮化鎵才處于起步階段，客戶對(duì)這種產(chǎn)品了解較少，氮矽科技通過(guò)為客戶提供整體解決方案的方式方便客戶的使用。產(chǎn)能方面，氮矽科技的代工廠即將建設(shè)一個(gè)月產(chǎn)能6000~10000片的工廠，氮矽科技的產(chǎn)能是有保障的。

 

在團(tuán)隊(duì)成員方面，氮矽科技董事長(zhǎng)羅鵬是德國(guó)勃蘭登堡州科技大學(xué)碩士，博士。博士后就職于德國(guó)柏林費(fèi)迪南德布朗-萊布尼茨研究所，精通氮化鎵器件物理特性，有近10年第三代半導(dǎo)體氮化鎵的研發(fā)工作經(jīng)驗(yàn)。目前公司共有十?dāng)?shù)人。