據項目負責人、徐州致能半導體總經理黎子蘭介紹，燦科半導體功率器件項目將新上線一條氮化鎵共封裝器件生產線，可把氮化鎵功率芯片與硅驅動芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起，形成氮化鎵芯片共封裝器件，能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統PCB板連接導致的延時較長、寄生電感較大、干擾嚴重等問題，發揮氮化鎵芯片的高頻優勢，也能助推企業在電子信息產業依靠科技創新搶占市場新藍海。