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意法半導(dǎo)體首批8英寸碳化硅晶圓問世,SiC熱度高漲!

日期:2021-07-28 來源:化合物半導(dǎo)體閱讀:318
核心提示:日前,意法半導(dǎo)體(簡稱ST)宣布,ST瑞典北雪平工廠制造出首批8英寸SiC晶圓片,這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。
日前,意法半導(dǎo)體(簡稱ST)宣布,ST瑞典北雪平工廠制造出首批8英寸SiC晶圓片,這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。
 
意法半導(dǎo)體的首批8英寸SiC晶圓片性能良好,缺陷率較低,主要源于其收購的Norstel公司在SiC硅錠生長技術(shù)開發(fā)方面的深厚積累。除了晶圓片滿足嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)外,SiC晶圓升級到8英寸還需要對制造設(shè)備和整體支持生態(tài)系統(tǒng)進(jìn)行升級更換,因此意法正在與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作開發(fā)自己的制造設(shè)備和生產(chǎn)工藝。
 
目前意法半導(dǎo)體的SiC量產(chǎn)產(chǎn)品STPOWER SiC在卡塔尼亞(意大利)和宏茂橋(新加坡)兩家6英寸晶圓廠完成前工序制造,后工序制造是在深圳(中國)和布斯庫拉(摩洛哥)的兩家封測廠進(jìn)行的。
 
SiC功率器件的整體性能指標(biāo)遠(yuǎn)超硅基,目前影響其大規(guī)模應(yīng)用的核心障礙還是價格太高。短期來看,4/6英寸晶圓能夠帶來的成本優(yōu)化速度有限,迅速切入8英寸則是實(shí)現(xiàn)成本降低的最佳方案。
 
另一方面,目前核心SiC器件玩家仍然是意法、安森美、英飛凌、CREE等大型IDM企業(yè)和博世這樣傳統(tǒng)的汽車產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè),材料、器件設(shè)計、器件制造的市場集成度中短期內(nèi)非常高。因此,主流大廠對8英寸產(chǎn)品的迅速導(dǎo)入,能大力推動整個SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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