2021年，半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展邁入了新的時期。SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米(1a)級工藝的 8Gigabit(Gb)LPDDR4移動端DRAM產(chǎn)品。

 

 

* LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)–專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。“DDR”為電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。

 

自從10納米級DRAM產(chǎn)品開始，半導體業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點都以標注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)之后的第四代工藝節(jié)點。公司預(yù)計從下半年開始向智能手機廠商供應(yīng)適用1a納米級技術(shù)的移動端DRAM。

 

此次量產(chǎn)的產(chǎn)品是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進行量產(chǎn)的DRAM，其意義非凡。SK海力士在此前生產(chǎn)1y納米級產(chǎn)品過程中曾部分采用了EUV技術(shù)，事先完成了對其穩(wěn)定性的驗證。

 

 

工藝的極度細微化趨勢使半導體廠商陸續(xù)導入EUV設(shè)備，并將其投入在晶圓上繪制電路的光刻工藝當中。業(yè)界認為采用EUV技術(shù)的水平將成為今后決定技術(shù)重要地位的重要因素。SK海力士通過此次量產(chǎn)確保了EUV工藝技術(shù)的穩(wěn)定性，并表示未來的1a納米級DRAM都將采用EUV工藝進行生產(chǎn)。

 

SK海力士期待通過新產(chǎn)品生產(chǎn)效率的提升得以確保更高的成本競爭力。相較前一代1z納米級工藝的同樣規(guī)格產(chǎn)品，1a納米級DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25%。在今年全球DRAM需求持續(xù)增長的背景下，公司期待1a納米級DRAM在全球存儲半導體供需中扮演重要角色。

 

此次新產(chǎn)品穩(wěn)定支持LPDDR4移動端DRAM規(guī)格的最高速度(4266Mbps)，并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20%。SK海力士認為此次新產(chǎn)品進一步強化了低功耗的優(yōu)勢，助力碳排放量的減少，充分體現(xiàn)了SK海力士注重ESG(環(huán)境、社會、公司治理)經(jīng)營的精神理念。

 

在本次LPDDR4產(chǎn)品之后，SK海力士還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。