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李士顏:第三代半導體碳化硅高壓領域的前行者

日期:2021-05-25 來源:中國電科閱讀:478
核心提示:中國電科55所李士顏和團隊一起填補了我國在該領域多項技術空白,為超高壓SiC器件在裝備應用提供了技術支撐。
 “學習黨史,尤其是領會黨領導中國科技事業創造輝煌成就的歷程,鼓舞了我迎難而上、深耕元器件領域的斗志。”——李士顏
 
高壓SiC MOSFET器件是中國電科四大重點業務板塊之一——“產業基礎”板塊中的重要組成部分。中國電科55所李士顏和團隊一起填補了我國在該領域多項技術空白,為超高壓SiC器件在裝備應用提供了技術支撐。
 
研發過程中,沒有充足的可借鑒研究文獻,遇到困難的李士顏并沒有坐以待斃,通過采用多套技術方案相互迭代驗證的途徑,經歷了多次“失敗,改進,再失敗,再改進”的過程,最終,實現了高效、高穩定性的高壓終端保護技術攻關。2021年,他作為技術骨干參與的“SiC MOSFET電力電子器件”入選國資委十大國有企業數字技術成果。
 
李士顏從團隊的融入者轉變為領頭人用了5年時間,在入職之初,他扎根生產一線,接觸了具有豐富工藝經驗的前輩和老師傅,加深了對器件工藝技術的理解,迅速熟悉了工藝流程;他虛心請教支部有豐富研發經驗的黨員領導和同事,在方案制定,難點攻關上得到了指導,迅速積累在該領域的研發經驗;在第三代半導體國創中心籌建中,他和團隊克服了周期緊、任務重的困難,完成了建設方案、技術方案、設備方案的系統調研和實施方案設計,保障了籌建任務節點。
 
他所負責的高壓電力電子器件,在先進裝備、軌道交通、智能電網等領域具有廣泛的應用前景。國產SiC MOSFET器件領域的技術進步離不開勇攀高峰、敢為人先的創新精神,他有信心、也有能力為實現科技自立自強貢獻自己的青春力量。
 
原標題:《李士顏:第三代半導體碳化硅高壓領域的前行者 | 學黨史·好榜樣》
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